[发明专利]一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置

说明书

本发明涉及一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置，半导体组件包括一基板；一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括一第1第1半导体层；一第2半导体层，形成于所述第1第1半导体层上；一第3半导体层，形成于所述第2半导体层上；一闸极电极，一汲极电极，及一源极电极，形成于所述第3半导体层上；及一惠斯登电桥整流电路，形成于所述基板上，所述惠斯登电桥整流电路包括：一第1整流二极管；一第2整流二极管，电性连接于所述第1整流二极管；一第3整流二极管，电性连接于所述第2整流二极管；及一第4整流二极管，电性连接于所述第3整流二极管。

技术领域

本发明涉及一种发光装置，尤其涉及一种半导体组件及具有该半导体组件的发光装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode；LED)是利用半导体外延技术制成的一种二极管，其在顺向偏压下，可使电流通过其内部，从而使得发光二极管内部的电子与空穴复合而发光。发光二极管在常温下，具有寿命长、省电、污染低、轻薄短小、不易破损、开关速度快及可靠性高等特点。因此，越来越多的发光装置利用发光二极管做为发光组件。

不过，发光二极管的发光效率会受温度的影响而下降，并且在高温时，在同样的电压值下，使得更多的电流通过发光二极管时，产生更高的热。这样恶性循环，不但耗电，还使得发光二极管的寿命缩短。因此，一般利用发光二极管的发光装置，必须花费相当多的额外成本在散热上。

半导体外延技术亦可制作场效晶体管。美国专利第4,777,516号揭示先后形成于同一个基板上的三族砷化物发光二极管及场效晶体管，其中场效晶体管由一砷化镓层施以硅离子布植而形成；美国专利第7,432,538号、美国专利第7,750,351号及美国专利第7,981,744号则揭示形成于一个基板上的三族氮化物场效晶体管。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体组件。

所述半导体组件包括：

一基板；

一第1晶体管，形成于所述基板上，所述第1晶体管为常开型晶体管，所述第1晶体管包括：

一第1第1半导体层；

一第2半导体层，形成于所述第1第1半导体层上；

一第3半导体层，形成于所述第2半导体层上；

一闸极电极，一汲极电极，及一源极电极，形成于所述第3半导体层上；及

一惠斯登电桥整流电路，形成于所述基板上，所述惠斯登电桥整流电路包括：

一第1整流二极管；

一第2整流二极管，电性连接于所述第1整流二极管；

一第3整流二极管，电性连接于所述第2整流二极管；及

一第4整流二极管，电性连接于所述第3整流二极管；

一第1发光二极管，形成于所述基板上且包括一第2第1半导体层；及

一电路图案，所述电路图案将所述第1晶体管电性连接为一第1电流稳定单元，并将所述第1电流稳定单元电性耦接于所述第1发光二极管。

在本发明的一实施例中，所述第1发光二极管更包括：

一第2第1半导体层；

一主动层，形成于所述第2第1半导体层上；及

一第4半导体层，形成于所述主动层上。

在本发明的一实施例中，所述闸极电极包括钨、铂、金、镍、铝所组成的群组中的任一或组合，且/或所述源极电极与所述汲极电极包括钛、铝、镍、金、铬所组成的群组中的任一或组合。