[发明专利]托盘、反应腔室、半导体加工设备有效
| 申请号： | 201610940824.6 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108004525B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黎俊希 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/54 | 分类号： | C23C16/54;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;汪源 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 托盘 反应 半导体 加工 设备 | ||
1.一种托盘，包括托盘本体，其特征在于，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；
所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体，以使所述气体排入到大气之中；
所述凹部的中心区域形成有至少一层台阶，每层所述台阶的台阶面的内沿区域作为第二承载位，位于所述第二承载位上的基片的侧壁与所述凹部的侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于将在放置基片时基片与所述第二承载位之间的气体导出。
2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述预设间隙的宽度为小于等于17.5mm。
3.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，在每层所述台阶的台阶面的外沿区域内设置有排气槽。
4.根据权利要求3所述的托盘，其特征在于，所述排气槽设置在所述外沿区域的靠近所述内沿区域的位置处，且沿所述内沿区域的周向设置。
5.根据权利要求3所述的托盘，其特征在于，所述排气槽的深度大于0.5mm。
6.根据权利要求3所述的托盘，其特征在于，所述排气槽在所述外沿区域内的面积比例大于5.7％。
7.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述托盘本体上还设置有与所述凹部相连通的开口。
8.一种反应腔室，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的托盘。
9.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求8所述的反应腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
