[发明专利]托盘、反应腔室、半导体加工设备

说明书

本发明提供一种托盘、反应腔室、半导体加工设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有技术中基片容易出现位置偏差的问题。本发明的托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

技术领域

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种托盘、反应腔室、半导体加工设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法，一般通过CVD设备在单晶衬底(基片)上生长一层与衬底晶向相同的单晶层，即进行外延生长。

在整个外延生长的过程中，基片必须严格处于某个特定的凹槽限定范围内，这是因为超出凹槽范围都会影响外延生长结果，因此，外延设备在整个传片过程中都有严格的基片校中及定位设施。外延设备在将基片从基片放置盒(LPA)中取出后，会将基片放置在对准器(Aligner)上进行校中，然后将基片传输到吹扫腔室(LL)进行N₂吹扫，在上述过程中，均采用机械手对基片S进行传输。

如图1和图2所示，在现有技术中，一般硅外延设备均兼容第一尺寸的基片(例如，6inch)和第二尺寸的基片(例如，8inch)。具体的，托盘1包括托盘本体11，托盘本体11包括凹部，凹部内形成有至少一层台阶12，每层台阶12用于承载对应尺寸的基片S；托盘本体11还包括有一个开口13，开口13用于在机械手取放基片S时，向机械手提供足够的取片空间。

请参照图3，第二尺寸的基片S放置在由上至下的第一个台阶12的台阶面，该台阶12的直径比该基片S的直径略大，是为了在保证在可容纳该基片S的同时，该台阶12的侧壁还能够限制基片S的移动；因此，基本上该台阶12的整个台阶面用于承载基片S。

但在实际应用中发现，当机械手将基片S放到托盘上后，基片S的位置容易出现偏差，从而导致机械手传片失败，影响机台的产能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免因基片和托盘表面之间的气膜导致的基片的位置出现偏差的问题，从而避免机械手传片失败的托盘、反应腔室、半导体加工设备。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种托盘，包括托盘本体，所述托盘本体上设置有凹部；预设所述托盘本体的上表面的围绕所述凹部的区域为第一承载位；

所述第一承载位用于承载基片；所述凹部用于容纳在放置基片时基片与所述第一承载位之间的气体。

其中，所述凹部的中心区域形成有至少一层台阶，每层所述台阶的台阶面的内沿区域作为第二承载位，位于所述第二承载位上的基片的侧壁与所述凹部的侧壁之间存在预设间隙，所述预设间隙用于将在放置基片时基片与所述第二承载位之间的气体导出。

其中，所述预设间隙的宽度为小于等于17.5mm。

其中，在每层所述台阶的台阶面的外沿区域内设置有排气槽。

其中，所述排气槽设置在所述外沿区域的靠近所述内沿区域的位置处，且沿所述内沿区域的周向设置。

其中，所述排气槽的深度大于0.5mm。

其中，所述排气槽在所述外沿区域内的面积比例大于5.7％。

其中，所述托盘本体上还设置有与所述凹部相连通的开口。

作为另一技术方案，本发明还提供一种反应腔室，包括上述任意一项所述的托盘。

作为另一技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括上述的反应腔室。