[发明专利]集成电力封装有效

专利信息
申请号: 201610941441.0 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN106611759B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 马修·大卫·罗米格;克里斯托弗·丹尼尔·马纳克 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/367;H01L21/98
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成 电力 封装
【权利要求书】:

1.一种集成电力封装,其包括:

电介质结构,其具有第一表面;

集成电路,其定位在所述电介质结构内;

至少一个导体,其定位在所述第一表面与所述电介质结构上的另一点之间;

至少一个晶体管,其电且机械耦合到所述至少一个第一导体;及

支撑结构,其电且机械耦合到所述至少一个晶体管,其中所述至少一个晶体管定位在所述电介质结构的所述第一表面与所述支撑结构之间。

2.根据权利要求1所述的封装,其中所述支撑结构具有介于0.025mm与0.5mm之间的厚度。

3.根据权利要求1所述的封装,其进一步包括将所述至少一个晶体管电且机械耦合到所述至少一个第一导体的材料,其中所述材料具有大于五瓦每米开尔文(W/mK)的热导率。

4.根据权利要求1所述的封装,其进一步包括将所述至少一个晶体管电且机械耦合到所述至少一个第一导体的材料,其中所述材料具有小于500微欧姆厘米(uΩCm)的电阻率。

5.根据权利要求1所述的封装,其中所述至少一个电导体包含定位在所述至少一个第一晶体管的栅极与所述集成电路之间的第一导体,及定位在所述电介质结构的外表面上的点与所述至少一个晶体管的漏极或源极中的一者之间的第二导体。

6.根据权利要求5所述的封装,其中所述至少一个晶体管的所述漏极或源极中的一者电且机械耦合到所述第一导体,且其中所述漏极或源极中的另一者电且机械耦合到所述支撑结构。

7.根据权利要求1所述的封装,其中所述电介质结构具有第二表面且其中所述第一导体在所述第一表面与所述第二表面之间延伸。

8.根据权利要求7所述的封装,其中所述第二表面相对于所述第一表面而定位。

9.根据权利要求1所述的封装,其中所述至少一个晶体管包含多个晶体管,所述多个晶体管中的每一者定位在所述电介质结构的所述第一表面与所述支撑结构之间。

10.根据权利要求9所述的封装,其中所述多个晶体管包含:

第一晶体管,其具有电且机械耦合到所述电介质结构的所述第一导体的源极及电且机械耦合到所述支撑结构的漏极;及

第二晶体管,其具有电且机械耦合到所述电介质结构的第二导体的漏极及电且机械耦合到所述支撑结构的源极。

11.根据权利要求10所述的封装,其中所述第二导体延伸到所述电介质结构的第二表面。

12.根据权利要求9所述的封装,其中所述支撑结构在所述多个晶体管之间传导电流。

13.根据权利要求1所述的封装,其中所述支撑结构的占据面积大于所述至少一个晶体管的占据面积。

14.根据权利要求13所述的封装,其中所述支撑结构的所述占据面积比所述至少一个晶体管的所述占据面积大至少0.5mm。

15.根据权利要求1所述的封装,其中所述支撑结构完全覆盖所述至少一个晶体管。

16.根据权利要求1所述的封装,其中所述支撑结构电耦合到延伸通过所述电介质结构的第二导体。

17.根据权利要求1所述的封装,其中所述支撑结构电且机械耦合到延伸通过所述电介质结构的第二导体。

18.根据权利要求1所述的封装,其进一步包括将所述支撑结构电且机械耦合到所述电介质结构的材料,所述材料具有大于5瓦每米开尔文(W/mK)的热导率及小于500微欧姆厘米(uOhmCm)的电阻率。

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