[发明专利]MTP存储阵列

权利要求书

1.一种MTP存储阵列，其特征在于，包括：多个存储单元、位线差分电路、源线差分电路、位线电流检测电路和源线差分开关电路；

各个所述存储单元的位线分别通过对应的位线驱动电路与所述位线电流检测电路和所述位线差分电路耦接，源线通过所述源线差分开关电路与源线差分电路耦接；

所述位线电流检测电路，适于对从位线流向源线方向的电流进行检测；

所述源线差分开关电路，适于当确定从位线流向源线方向的电流大于或等于预设的阈值时，控制源线与源线差分电路断开连接；当确定从位线流向源线方向的电流小于所述阈值时，控制源线与源线差分电路导通。

2.根据权利要求1所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述位线电流检测电路包括反相器、第一电流镜电路和第二电流镜电路；

所述第一电流镜电路的输入端通过对应的位线驱动电路与位线耦接，输出端与所述反相器的输入端耦接；

所述第二电流镜电路的输入端与预设的参考电流耦接，输出端与所述反相器的输入端耦接；

所述反相器的输出端与所述源线差分开关电路耦接。

3.根据权利要求2所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述第一电流镜电路包括第一PMOS管和第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源端与所述第二PMOS管的源端耦接；所述第一

PMOS管的漏端作为所述第一电流镜电路的输出端；所述第一PMOS管的栅端与所述第二PMOS管的栅端和漏端耦接，作为所述第一电流镜电路的输入端。

4.根据权利要求2所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述第二电流镜电路包括第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一NMOS管的漏端和栅端与所述第二NMOS管的栅端和所述参考电流耦接，作为所述第二电流镜电路的输入端；

所述第二NMOS管的漏端与所述第一NMOS管的源端耦接；所述第二

NMOS管的源端作为所述第二电流镜电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述位线电流检测电路包括第一电阻、第二电阻和比较器；

所述第一电阻的第一端与所述位线差分电路耦接，并通过对应的位线驱动电路与对应的位线耦接；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端和所述比较器的反向输入端耦接，所述第二电阻的第二端与地线耦接；

所述比较器的正向输入端与预设的参考电压耦接，输出端与所述源线差分开关电路的输入端耦接。

6.根据权利要求1所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述源线差分开关电路包括电平转换电路、第三NMOS管；

所述电平转换电路的输入端与所述位线电流检测电路的输出端耦接，输出端与所述第三NMOS管的栅端耦接；

所述第三NMOS管的漏端与所述源线差分电路耦接，所述第三NMOS管源端与所述源线耦接；

所述电平转换电路还与所述源线差分电路耦接。

7.根据权利要求6所述的MTP存储阵列，其特征在于，所述第三NMOS管的源端还通过第三电阻与地线耦接。

8.根据权利要求1-7任一项所述的存储阵列，其特征在于，所述MTP存储阵列为P型MTP存储阵列。