[发明专利]半导体层的制备方法

权利要求书

1.一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：

提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；

在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；

将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；

获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；以及

按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。

2.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述导电基底的材料为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。

3.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化物或者高分子材料。

4.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为50-300纳米。

5.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管包括金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。

6.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，所述多根碳纳管平行于绝缘层的表面。

7.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述扫描电镜的加速电压为15-20千伏。

8.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述驻留时间为10-20微秒。

9.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识的步骤包括：在照片上建立一坐标系，并读出金属型碳纳米管的具体坐标值；按照和照片相同的比例，在实体碳纳米管膜上建立坐标系，根据金属型碳纳米管的坐标值标识出金属型的碳纳米管。

10.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述除去金属型的碳纳米管的步骤包括：用电子束曝光的方法，将该半导体型的碳纳米管进行保护，将金属型的碳纳米管露出，采用等离子体刻蚀的方法将金属型的碳纳米管去除。