[发明专利]半导体层的制备方法

说明书

一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。

技术领域

本发明涉及一种半导体层的制备方法，尤其设置一种基于碳纳米管的半导体层的制备方法。

背景技术

碳纳米管是一种非常具有研究潜能的纳米材料。基于其纳米级的尺寸以及特殊的结构，碳纳米管具有良好的电学性能、光电性能以及半导体型能。现有技术中，采用碳纳米管层作为半导体层使用成为一种热门的研究方向。采用碳纳米管制备半导体层时，通常是先生长碳纳米管阵列，然后，将碳纳米管阵列直接加工成层状的结构，用作半导体层。由于碳纳米管可以分为金属型和半导体型两种类型，在生长碳纳米管阵列时，无法控制长出的碳纳米管的类型，因此，采用这种方法制备的半导体层中，在存在半导体型的碳纳米管时，还存在金属型的碳纳米管。当金属型的碳纳米管用在半导体层时，会对半导体层的性能造成负面影响。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种可以克服上述缺点的半导体层的制备方法。

一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。

相较于现有技术，本发明所提供的半导体层的制备方法中，包括一除去金属型碳纳米管的步骤，因此，制得的半导体层性能较好；同时，本发明提供的半导体层的制备方法，可以快速准确的标识出金属型的碳纳米管并除去。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的半导体层的制备方法的流程示意图。

图2为本发明第一实施例提供的半导体层的制备方法中，采用扫描电镜拍摄获得的碳纳米管的照片。

图3为图2的示意图。

图4为现有技术中，采用扫描电镜表征碳纳米管获得的照片。

图5为图4的示意图。

主要元件符号说明

无

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明的提供的半导体层的制备方法进一步的详细说明。

请参阅图1，本发明第一实施例提供半导体层的制备方法，其包括以下步骤：

S1：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；

S2：在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；

S3：将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；以及