[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；

在所述半导体衬底上形成栅极结构；

在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；

进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为高电阻材料，其中，所述半导体衬底的电阻值大于2KΩ。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之前，还包括进行离子注入，以在所述半导体衬底中形成用于调节阈值电压的注入区的步骤。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体接触层的材料为多晶硅。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离结构位于所述半导体衬底中的深度范围为6000～8000埃。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤包括以下过程：

在半导体衬底的表面上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖有源区；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，依次蚀刻所述硬掩膜层和部分所述半导体衬底，以形成沟槽，并去除所述光刻胶层；

在所述沟槽中填充满隔离材料，以形成所述隔离结构；

去除所述硬掩膜层。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述半导体接触层的方法包括：

共形沉积半导体接触层，以覆盖所述半导体衬底的表面；

图案化所述半导体接触层，仅在预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域上形成所述半导体接触层。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体接触层还进一步延伸到其外侧的所述隔离结构的部分表面上。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

深沟槽隔离结构，形成在所述半导体衬底中；

栅极结构，形成在相邻所述隔离结构之间的部分所述半导体衬底上；

浅结源极和浅结漏极，分别形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中；

金属硅化物层，形成在所述半导体衬底的表面上，并分别覆盖所述浅结源极和所述浅结漏极。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，覆盖所述浅结源极的所述金属硅化物层还进一步延伸到所述浅结源极外侧的隔离结构的部分表面上，覆盖所述浅结漏极的所述金属硅化物层还进一步延伸到所述浅结漏极外侧的隔离结构的部分表面上。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为高电阻材料，其中，所述半导体衬底的电阻值大于2KΩ。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极结构下方的所述半导体衬底中还形成有靠近所述半导体衬底表面的注入区，所述注入区用于调节阈值电压。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述深沟槽隔离结构位于所述半导体衬底中的深度范围为6000～8000埃。

14.一种电子装置，其特征在于，其包括如权利要求9-13任一项所述的半导体器件。