[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

在半导体技术领域中，射频前端模块(Radio Frequency Frond-End Module，简称RF FEM)，是无线通信设备(例如手机、平板电脑等)中的关键组件，而射频开关器件(简称射频开关，通常为集成电路或集成电路的一部分)又是射频前端模块的关键组件之一。射频前端模块(RF FEM)中的射频开关，需要具有高的信号保真性、低的插入损失(insertion loss)、良好的线性特征和较小的信号形变。

标准的CMOS器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的栅极，形成在栅极两侧的半导体衬底中的源极/漏极，以及用于将栅极、源极、漏极和体(body)引出的互连线，然而标准的CMOS器件源/漏极和体之间存在大的寄生电容，由于更多的功率容量(power handling)使CMOS射频开关器件的总宽度非常大，并且寄生电容变得越来越大，通常这种结构产生了一种功率漏电路径，称其为插入损失(insertion loss)，插入损失越小，则射频开关的性能越好。

因此，有必要提出一种半导体器件的制造方法，以改善SAQP光刻技术，解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明实施例一中提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成隔离结构；

在所述半导体衬底上形成栅极结构；

在所述半导体衬底的部分表面上形成半导体接触层，所述半导体接触层覆盖预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域，所述半导体接触层中包括硅元素；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成所述浅结源极和所述浅结漏极；

进行金属硅化物工艺，以将至少部分所述半导体接触层转变为金属硅化物层。

进一步，所述半导体衬底为高电阻材料，其中，所述半导体衬底的电阻值大于2KΩ。

进一步，在形成所述栅极结构之前，还包括进行离子注入，以在所述半导体衬底中形成用于调节阈值电压的注入区的步骤。

进一步，所述半导体接触层的材料为多晶硅。

进一步，所述隔离结构位于所述半导体衬底中的深度范围为6000～8000埃。

进一步，形成所述隔离结构的步骤包括以下过程：

在半导体衬底的表面上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成图案化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖有源区；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜，依次蚀刻所述硬掩膜层和部分所述半导体衬底，以形成沟槽，并去除所述光刻胶层；

在所述沟槽中填充满隔离材料，以形成所述隔离结构；

去除所述硬掩膜层。

进一步，形成所述半导体接触层的方法包括：

共形沉积半导体接触层，以覆盖所述半导体衬底的表面；

图案化所述半导体接触层，仅在预定形成浅结源极和预定形成浅结漏极的区域上形成所述半导体接触层。

进一步，所述半导体接触层还进一步延伸到其外侧的所述隔离结构的部分表面上。

本发明实施例二提供一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

深沟槽隔离结构，形成在所述半导体衬底中；

栅极结构，形成在相邻所述隔离结构之间的部分所述半导体衬底上；

浅结源极和浅结漏极，分别形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中；

金属硅化物层，形成在所述半导体衬底的表面上，并分别覆盖所述浅结源极和所述浅结漏极。

进一步，覆盖所述浅结源极的所述金属硅化物层还进一步延伸到所述浅结源极外侧的隔离结构的部分表面上，覆盖所述浅结漏极的所述金属硅化物层还进一步延伸到所述浅结漏极外侧的隔离结构的部分表面上。

进一步，所述半导体衬底为高电阻材料，其中，所述半导体衬底的电阻值大于2KΩ。

进一步，在所述栅极结构下方的所述半导体衬底中还形成有靠近所述半导体衬底表面的注入区，所述注入区用于调节阈值电压。

进一步，所述深沟槽隔离结构位于所述半导体衬底中的深度范围为6000～8000埃。

本发明实施例三提供一种电子装置，其包括前述的半导体器件。