[发明专利]形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置

权利要求书

1.形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：

提供衬底；

将硅前驱体提供到所述衬底上；

将氧反应物提供到所述衬底上；

将第一碳前驱体提供到所述衬底上；

将第二碳前驱体提供到所述衬底上；以及

将氮反应物提供到所述衬底上，

其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体是不同的材料，

其中所述氮反应物和所述第二碳前驱体是相同的材料，以及提供所述氮反应物和提供所述第二碳前驱体同时进行，并且所述硅前驱体和所述第一碳前驱体包括相同的材料，以及提供所述硅前驱体和提供所述第一碳前驱体同时进行。

2.如权利要求1中所述的方法，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体各自独立地是具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

3.如权利要求2中所述的方法，其中所述第一碳前驱体和所述第二碳前驱体的至少一种包括：

具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物；或

具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

4.如权利要求3中所述的方法，其中所述方法在600℃或更低下进行。

5.如权利要求1中所述的方法，其中提供所述硅前驱体、提供所述氧反应物、提供所述第一碳前驱体、以及提供所述第二碳前驱体被包括在单个循环中。

6.如权利要求1中所述的方法，其中：

所述第一碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，以及

所述第二碳前驱体包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。

7.如权利要求6中所述的方法，其中所述第一碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

8.如权利要求1中所述的方法，其中提供所述第一碳前驱体、提供所述氧反应物、以及提供所述第二碳前驱体被包括在单个循环中。

9.如权利要求8中所述的方法，其中：

所述第一碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，以及

所述第二碳前驱体包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。

10.如权利要求1中所述的方法，其中所述方法在500℃或更低下进行。

11.如权利要求1中所述的方法，其中提供所述硅前驱体、提供所述氧反应物、提供所述第一碳前驱体、以及提供所述氮反应物被包括在单个循环中。

12.如权利要求1中所述的方法，其中：

所述第二碳前驱体包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷、或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，以及

所述第一碳前驱体包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。