[发明专利]形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置

说明书

形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

相关专利申请的交叉引用

2015年10月22日在韩国知识产权局提交的题目为“材料层、包含其的半导体器件及制造材料层和半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2015-0147540通过引用在本文中全部引入。

技术领域

实施方式涉及材料层、包含所述材料层的半导体器件、以及制造所述材料层和所述半导体器件的方法。

背景技术

用于获得微图案的材料可为对高温敏感的，且低温工艺可为期望的。

发明内容

实施方式涉及材料层、包含所述材料层的半导体器件、和制造所述材料层及所述半导体器件的方法。

实施方式可通过提供形成SiOCN材料层的方法实现，该方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。

第一碳前驱体和第二碳前驱体可各自独立地是具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺、具有4到15的碳数的含氮杂环化合物、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

第一碳前驱体和第二碳前驱体的至少一个可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物；或者具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

该方法可在600℃或更低下进行。

氮反应物和第二碳前驱体可为相同的材料，且提供氮反应物和提供第二碳前驱体可同时进行。

提供硅前驱体、提供氧反应物、提供第一碳前驱体和提供第二碳前驱体可被包括在单个(一个)循环中。

第一碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。

第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷。

硅前驱体和第一碳前驱体可包括相同的材料，且提供硅前驱体和提供第一碳前驱体可同时进行。

提供第一碳前驱体、提供氧反应物和提供第二碳前驱体可被包括在单个循环中。

第一碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第二碳前驱体可包括具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。

该方法可在500℃或更低下进行。

硅前驱体和第二碳前驱体可为相同的材料，且提供硅前驱体和提供第二碳前驱体可同时进行。

提供硅前驱体、提供氧反应物、提供第一碳前驱体和提供氮反应物可被包括在单个循环中。

第二碳前驱体可包括具有1到20的碳数的烷基硅烷、具有1到20的碳数的烷氧基硅烷或具有1到20的碳数的烷基硅氧烷，和第一碳前驱体可包括具有1到10的碳数的烷烃、具有2到10的碳数的烯烃、具有1到15的碳数的烷基胺或具有4到15的碳数的含氮杂环化合物。