[发明专利]引线架及其制造方法、半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种引线架及其制造方法、半导体装置。

背景技术

已有一种在引线架上安装半导体芯片并藉由树脂进行密封的半导体装置。在这样的半导体装置中，工作时的发热会导致反复发生膨胀或收缩，故存在着引线架和树脂的界面会产生剥离的可能性。因此，藉由在芯片垫或引线的下表面侧设置段差部(高低部或台阶部)，以使树脂流入段差部，可提高芯片垫或引线与树脂的密着性。

专利文献1：(日本)特开2014－044980号公报

发明内容

然而，在上述方法中，由于芯片垫或引线上所设置的段差部和树脂的接触部分的表面积不够大，故难以获得预期的密着性。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其课题在于提供一种藉由使引线架上所设置的段差部和树脂的接触部分的表面积大于现有技术，可提高与树脂的密着性的半导体装置。

一种半导体装置，包括：引线架，包括第一表面和第二表面，所述第二表面背对所述第一表面，所述第二表面具有洼向所述第一表面以形成台阶面的部分；半导体芯片，安装在所述引线架的所述第一表面上；及密封树脂，对所述引线架和所述半导体芯片进行密封。其中，所述台阶面包括形成有多个凹部的非平坦表面部，并被所述密封树脂所覆盖。

根据所公开的技术，能够提供一种藉由使引线架上所设置的段差部和树脂的接触部分的表面积大于现有技术，可提高与树脂的密着性的半导体装置。

附图说明

图1A至图1D是第1实施方式的半导体装置的示例图。

图2是S比(S ratio)的说明图。

图3A至图3B是对在段差部的段差面上设置凹凸部的效果进行说明的图。

图4A至图4B是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其1)。

图5A至图5D是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其2)。

图6A至图6D是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其3)。

图7A至图7D是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其4)。

图8A至图8B是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其5)。

图9A至图9C是第1实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其6)。

图10A至图10D是第2实施方式的半导体装置的示例图。

图11A至图11D是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其1)。

图12A至图12D是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其2)。

图13A至图13D是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其3)。

图14A至图14B是第2实施方式的半导体装置的制造步骤的示例图(其4)。

图15A至图15B是第2实施方式的变形例1的半导体装置的制造步骤的示例图(其1)。

图16A至图16B是第2实施方式的变形例1的半导体装置的制造步骤的示例图(其2)。

图17A至图17B是第2实施方式的变形例2的半导体装置的制造步骤的示例图(其1)。

图18A至图18B是第2实施方式的变形例2的半导体装置的制造步骤的示例图(其2)。

图19A至图19B是对杯剪切试验的试验样品等进行说明的图。

图20是实施例1的杯剪切试验结果的示例图。

图21是实施例2的杯剪切试验结果的示例图。

图22是实施例3的杯剪切试验结果的示例图。

图23是第1实施方式的另一半导体装置的截面图。

其中，附图标记说明如下：

1半导体装置

10、10S、10T 引线架(lead frame)

11 芯片垫(die pad)

11d、12d段差面(台阶面)

11x、12x段差部(台阶部)

12 引线

13 凹凸部(非平坦表面部)

15 连接部

17 黏结材

18 镀膜

20 半导体芯片

30 金属线

40 树脂部

151外框部

152阻隔条(dam bar)

153支撑条(support bar)

具体实施方式