[发明专利]包括焊料屏障的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

引线框架；

包括接触部的半导体芯片，所述接触部面向所述引线框架并且通过焊料电耦接至所述引线框架的表面；以及

与所述半导体芯片的所述接触部和边缘邻近的焊料屏障，所述焊料屏障设置在所述引线框架的表面之上且至少部分位于半导体芯片与所述引线框架的所述表面之间，以在焊料回流过程期间防止焊料到达半导体芯片的所述边缘，

其中，所述焊料屏障在半导体芯片之下延伸并延伸超过所述半导体芯片的覆盖区的外边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障在所述引线框架上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障在所述半导体芯片上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

镀覆区，所述镀覆区与焊料屏障相对地形成，以在焊料回流期间使焊料空洞最小化。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障完全包围所述接触部。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障包括镀覆区。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障包括环氧树脂或酰亚胺区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障包括氧化物区。

9.一种半导体器件，包括：

引线框架；

芯片，所述芯片包括在所述芯片的第一侧上的接触所述芯片的第一半导体区的第一接触部以及在所述芯片的与所述第一侧相反的第二侧上的接触所述芯片的第二半导体区的第二接触部，所述第一接触部邻近所述芯片的边缘；以及

在所述芯片的所述第一接触部与所述边缘之间的从所述芯片的第一侧延伸的焊料屏障，所述焊料屏障能够在焊料回流期间防止所述第一接触部与所述第二半导体区之间沿所述芯片的所述边缘的焊料短路，

其中，所述焊料屏障在芯片之下延伸并延伸超过所述芯片的覆盖区的外边缘。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

镀覆区，所述镀覆区与焊料屏障相对地形成，以在焊料回流期间使焊料空洞最小化。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障包括环氧树脂或酰亚胺区。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障包括氧化物区。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障侧向包围所述第一接触部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障是方形的。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障是圆形的。

16.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述焊料屏障是L-形的。

17.一种半导体器件，包括：

引线框架，其具有主表面；

半导体芯片，所述半导体芯片包括在所述芯片的第一侧上的第一接触部，所述第一接触部面向所述引线框架并且通过焊料电耦接至所述引线框架；以及

焊料屏障，所述焊料屏障从所述引线框架的主表面延伸，并且至少部分设置在引线框架与半导体芯片之间，而且侧向包围所述半导体芯片，所述焊料屏障用来控制结合线厚度，

其中，所述焊料屏障在半导体芯片之下延伸并延伸超过所述半导体芯片的覆盖区的外边缘。