[发明专利]包括焊料屏障的半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：引线框架和包括接触部的半导体芯片。所述接触部面向所述引线框架并且通过焊料电耦接至所述引线框架。所述半导体器件包括与所述芯片的所述第一接触部和边缘邻近的焊料屏障。

背景技术

当将芯片附接至引线框架时，可回流焊料以将芯片的接触部电耦接至引线框架。功率半导体芯片可包括在芯片的第一侧上和第二侧上的接触部，使得经过芯片的电流可在芯片的第一侧与第二侧之间垂直地流动。当将功率半导体芯片的接触部焊接至引线框架时，应该防止芯片的电短路。另外，当将半导体芯片焊接至引线框架时，焊料可从半导体芯片之下扩散出来，导致器件之间的结合线厚度不一致。

由于这些以及其他原因，有本发明的需要。

发明内容

半导体器件的一个示例包括：引线框架和包括接触部的半导体芯片。所述接触部面向引线框架并且通过焊料电耦接至引线框架。半导体器件包括与芯片的第一接触部和边缘邻近的焊料屏障。

附图说明

图1示出半导体器件的一个示例的剖视图。

图2示出引线框架的一个示例的俯视图。

图3A-3C示出示例性焊料屏障的俯视图，所述焊料屏障用来防止沿功率半导体芯片的边缘的栅极至漏极的焊料短路。

图4示出半导体器件的另一个示例的俯视图。

图5示出半导体器件的一部分的一个示例的俯视图，所述半导体器件包括焊料屏障以控制结合线厚度。

图6示出半导体器件的一部分的一个示例的俯视图，所述半导体器件包括焊料屏障以防止沿功率半导体器件的边缘的源极至栅极的焊料短路和栅极至漏极的焊料短路。

图7示出半导体器件的一个示例的俯视图，所述半导体器件包括焊料屏障以控制结合线厚度。

具体实施方式

在下文的详细描述中，参考了形成本文的一部分的附图，并且在附图中通过图示的方式示出可实践本公开的具体示例。在这方面，诸如“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“前导”、“尾后”等等的方向性术语是参照被描述的附图的取向来使用的。因为示例中的部件可以多种不同取向放置，因此方向性术语是为图示的目的使用而绝非是限制的目的。应该理解的是，可使用其他示例并且在不背离本公开的范围的情况下可做出结构或逻辑上的变化。因此下文的详细描述不应以限制的意义理解，本公开的范围由所附权利要求限定。

除非特别声明，否则应该理解的是本文所描述的各种实施例的特征可彼此结合起来。

如本文所使用的，术语“电耦接”并不旨在于意味着元件必须直接耦接在一起，而是可在“电耦接”元件之间提供中间元件。

图1示出半导体器件100的一个示例的剖视图。半导体器件100包括引线框架102、半导体芯片104以及焊料屏障120。半导体芯片104包括在半导体芯片104的面向引线框架102的第一侧上的第一接触部108。第一接触部108接触半导体芯片104的第一半导体区110。介电层106接触第一接触部108和第一半导体区110，并且限定了第一接触焊盘开口。半导体芯片104包括在半导体芯片104的第二侧上的第二接触部114，该第二侧与半导体芯片104的第一侧相反。第二接触部114接触半导体芯片104的第二半导体区112。在一个示例中，半导体器件104是功率半导体器件，第一接触部108是栅极接触部，第二接触部114是漏极接触部。