[发明专利]数模混合电路、SoC芯片及模拟电路修调方法有效
申请号: | 201610956856.5 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN108023585B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 胡如波;施乐宁;罗鑫 | 申请(专利权)人: | 福州瑞芯微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 高彦 |
地址: | 350003 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数模 混合 电路 soc 芯片 模拟 方法 | ||
1.一种数模混合电路,其特征在于,包括:
模拟电路,用于处理模拟信号;
修调电路,连接所述模拟电路,用于根据修调信息修调所述模拟电路的电路参数;
存储器,存储所述修调信息;
数字电路,连接所述修调电路及存储器,其包括:寄存器,用于存储所述数字电路读取自所述存储器的修调信息以供所述修调电路读取来执行所述修调,所述修调信息的尾部包含特定信息,所述数字电路在将特定信息写入所述寄存器中某一位后根据特定信息对应寄存器位设置整个所述寄存器为只读状态以锁定整个所述寄存器以令其内的修调信息不能被修改;
其中,在所述特定信息写入所述寄存器之前,所述寄存器设置成能写入所述修调信息,所述修调电路根据所述寄存器的修调信息进行所述修调,并根据模拟电路对应的修调结果来验证所述已写入寄存器的修调信息正确与否。
2.根据权利要求1所述的数模混合电路,其特征在于,所述存储器的类型包括非挥发性记忆体。
3.根据权利要求2所述的数模混合电路,其特征在于,所述非挥发性记忆体包括:闪存或一次可编程记忆体。
4.根据权利要求1所述的数模混合电路,其特征在于,所述特定信息位于所述修调信息的最后一比特位。
5.根据权利要求1所述的数模混合电路,其特征在于,所述电路参数的类型包括:电流或电压。
6.一种SoC芯片,其特征在于,包括如权利要求1~5中任一项所述的数模混合电路。
7.一种模拟电路修调方法,其特征在于,应用于如权利要求1~5中任一项所述的数模混合电路,所述方法包括:
所述数字电路将读取自所述存储器的修调信息写入所述寄存器,以供所述修调电路读取来执行所述修调;
所述数字电路在将特定信息写入所述寄存器中某一位后根据特定信息对应寄存器位设置整个所述寄存器为只读状态以锁定整个所述寄存器以令其内的修调信息不能被修改;其中,在所述特定信息写入所述寄存器之前,所述寄存器设置成能写入所述修调信息,所述修调电路根据所述寄存器的修调信息进行所述修调,并根据模拟电路对应的修调结果来验证所述已写入寄存器的修调信息正确与否。
8.一种模拟电路修调方法,其特征在于,应用于如权利要求1~5中任一项所述的数模混合电路,所述方法包括:
所述数字电路将读取自所述存储器的修调信息写入所述寄存器,以供所述修调电路读取来执行所述修调;
在所述特定信息写入所述寄存器之前,所述修调电路根据已写入寄存器的修调信息进行所述修调;
根据模拟电路对应的修调结果来验证所述已写入寄存器的修调信息正确与否;
若正确,则继续写入修调信息;
若不正确,则改正写入;
在已写入寄存器的修调信息全部正确的情况下,所述数字电路在将特定信息写入所述寄存器中某一位后根据特定信息对应寄存器位设置整个所述寄存器为只读状态以锁定整个所述寄存器以令其内的修调信息不能被修改。
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