[发明专利]场效晶体管器件及场效晶体管器件的制造方法

权利要求书

1.一种场效晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底，具有位于其上的至少一栅极堆叠结构以及分设在所述至少一栅极堆叠结构的相对侧的源极与漏极区域；

介电层，配置在所述衬底的上方并覆盖所述至少一栅极堆叠结构以及所述源极与漏极区域；

导电区域，配置在所述介电层的上方；

层间介电层，配置在所述导电区域的上方；以及

内连线结构，配置在所述层间介电层内以及配置在所述导电区域上，其中所述内连线结构包括：

金属内连线，配置在所述导电区域上；

黏着鞘结构，配置在所述金属内连线与所述层间介电层之间，且围绕所述金属内连线；以及

顶盖层，配置在所述金属内连线上，并覆盖所述金属内连线与所述层间介电层之间的间隙，其中所述间隙暴露出一部分未被所述黏着鞘结构覆盖的所述金属内连线的表面。

2.根据权利要求1所述的场效晶体管器件，其特征在于，其中所述层间介电层包含嵌入在所述层间介电层内的停止层。

3.根据权利要求1所述的场效晶体管器件，其特征在于，其中所述层间介电层包含配置在所述导电区域上的第一层间介电层、配置在所述第一层间介电层上的停止层以及配置在所述停止层上的第二层间介电层，且所述黏着鞘结构配置在所述第一层间介电层与所述金属内连线之间。

4.根据权利要求1所述的场效晶体管器件，其特征在于，更包括衬层，其中所述衬层配置在所述导电区域上且位在所述层间介电层与所述导电区域之间，其中所述金属内连线贯穿所述衬层与所述导电区域接触。

5.根据权利要求1所述的场效晶体管器件，其特征在于，更包括连接结构，其中所述连接结构连接至所述导电区域并电性连接至所述源极与漏极区域。

6.根据权利要求1所述的场效晶体管器件，其特征在于，其中所述黏着鞘结构的材料包括氮化硅、氮氧化硅、氮碳化硅、氮氧化碳硅、氮化钽、氮化钛或其组合，且所述金属内连线的材料包括铜、钨或它们的合金。

7.一种场效晶体管器件，其特征在于，包括：

衬底；

至少一栅极堆叠结构，配置于所述衬底上；

源极与漏极区域，分设在所述至少一栅极堆叠结构的相对侧；

介电层，配置在所述衬底的上方并覆盖所述至少一栅极堆叠结构以及所述源极与漏极区域；

导电区域，配置在所述介电层的上方；

第一层间介电层，配置在所述导电区域上，其中所述第一层间介电层包括介层窗；

停止层，配置在所述第一层间介电层上；

第二层间介电层，配置在所述停止层上，其中所述第二层间介电层包括沟槽开口；以及

内连线结构，配置在所述第一层间介电层与所述第二层间介电层内以及配置在所述导电区域上，其中所述内连线结构包括：

金属内连线，配置在所述第一层间介电层的所述介层窗与所述第二层间介电层的所述沟槽开口内以及配置在所述导电区域上；

黏着鞘结构，配置在所述介层窗内以及配置在所述第一层间介电层与所述金属内连线之间，其中所述黏着鞘结构围绕位于所述介层窗内的所述金属内连线；以及

顶盖层，配置在所述金属内连线上并覆盖所述第二层间介电层以及所述金属内连线与所述第二层间介电层之间的间隙，其中

所述金属内连线的表面的一部分被位在所述第一层间介电层上方的所述间隙暴露出来。

8.根据权利要求7所述的场效晶体管器件，其特征在于，其中位于所述顶盖层、所述停止层以及所述第二层间介电层之间的所述间隙围绕所述金属内连线并将所述金属内连线从所述第二层间介电层隔离开来。

9.根据权利要求7所述的场效晶体管器件，其特征在于，更包括衬层，其中所述衬层配置在所述导电区域上且位在所述第一层间介电层与所述导电区域之间，其中所述金属内连线贯穿所述衬层与所述导电区域接触。