[发明专利]场效晶体管器件及场效晶体管器件的制造方法

说明书

本发明实施例涉及场效晶体管器件及场效晶体管器件的制造方法。场效晶体管器件包括衬底、至少一栅极堆叠结构、源极与漏极区域以及内连线结构。内连线结构包含连接至导电区域的金属内连线、黏着鞘结构以及顶盖层。黏着鞘结构配置于金属内连线与层间介电层之间并围绕金属内连线。顶盖层配置在金属内连线上并覆盖位于金属内连线与层间介电层之间的间隙。

技术领域

本发明实施例涉及场效晶体管器件及场效晶体管器件的制造方法。

背景技术

随着半导体器件的线宽持续依照比例缩小，互补式金氧半场效电晶体兼容(CMOS-compatible)的半导体器件诸如平面场效晶体管或鳍状场效晶体管(fin-type metaloxide semiconductor field effect transistor，FinFET)的栅极宽度和沟道长度不断缩小。对于高集成度和紧密设计规则的半导体器件而言，金属触点或内连线的形成颇具挑战。

发明内容

一种场效晶体管器件包括衬底、介电层、导电区域、层间介电层以及内连线结构。衬底具有位于其上的至少一栅极堆叠结构以及分设在至少一栅极堆叠结构的相对侧的源极与漏极区域。介电层配置在衬底的上方并覆盖至少一栅极堆叠结构以及源极与漏极区域。导电区域配置在介电层的上方。层间介电层配置在导电区域的上方。内连线结构配置在层间介电层内以及配置在导电区域上，其中内连线结构包括配置在导电区域上的金属内连线、配置在金属内连线与层间介电层之间且围绕金属内连线的黏着鞘结构以及配置在金属内连线上并覆盖金属内连线与层间介电层之间的间隙的顶盖层。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式以了解本发明实施例。应注意的是，根据本产业的一般作业，各种特征并未按照比例绘制。事实上，为了清楚说明，可能任意的放大或缩小器件的尺寸。

图1为依据一些本发明实施例的场效晶体管器件的剖面示意图。

图2A到图2L为依据一些本发明实施例的场效晶体管器件的制造方法的各种阶段所形成的部分场效晶体管器件的剖面示意图。

图3为依据一些本发明实施例的场效晶体管器件的制造方法的处理步骤的示例性流程图。

附图标号说明

10：场效晶体管器件

12：鳍状场效晶体管器件

100：衬底

110：栅极堆叠结构

120：源极与漏极区域

130：连接结构

140：介电层

150：导电结构

152：衬层

152a：残留的衬层

160：第一层间介电层

162：第一光刻胶图案

163：介层窗

163b：介层窗的侧壁

164：填充材料

168：停止层

168a：残留的停止层

170：第二层间介电层

172：第二光刻胶图案

173：沟槽开口

173b：沟槽开口的侧壁

174：阻挡层

174a：残留的阻挡层