[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)设置具有第一导电类型的半导体衬底；

(b)在所述半导体衬底的顶部上方，形成具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第一半导体区；

(c)在所述第一半导体区的顶部上方，形成具有所述第一导电类型的第二半导体区和具有所述第一导电类型的第三半导体区；以及

(d)将所述半导体衬底划分成个体块，由此形成第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第二半导体区，所述第二半导体芯片包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述半导体衬底、所述第一半导体区和所述第三半导体区；

其中，从平面图来看，所述第二半导体区的面积小于所述第三半导体区的面积。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(c)中，具有所述第一导电类型的杂质被引入到所述半导体衬底的顶部中，由此形成所述第二半导体区和所述第三半导体区，以及

其中，所述方法还包括以下步骤：

(d1)在步骤(c)之后，用立式炉加热所述半导体衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一晶体管的放大因子小于所述第二晶体管的放大因子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)还包括以下步骤：

(c1)形成覆盖所述半导体衬底的顶部的绝缘膜；

(c2)在所述绝缘膜上方形成感光膜；

(c3)对所述感光膜执行曝光和显影，由此去除所述感光膜的一部分，以暴露所述绝缘膜的顶部；

(c4)在步骤(c3)之后，用所述感光膜作为掩模，处理所述绝缘膜，由此暴露所述半导体衬底的顶部；以及

(c5)将具有所述第一导电类型的杂质注入到所述半导体衬底的顶部中，由此形成所述第二半导体区和所述第三半导体区，

其中，在步骤(c5)中，所述第二半导体区和所述第三半导体区被形成在能够通过步骤(c3)中执行的一次曝光被曝光的区域中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤(d)中，形成每一个都是所述第一半导体芯片的多个半导体芯片和每一个都是所述第二半导体芯片的多个半导体芯片。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，包括所述半导体衬底的半导体晶圆具有大于6英寸的直径。

7.根据权利要求2所述的方法，

其中，所述立式炉具有在垂直于水平面的方向上延伸的炉芯管，以及

其中，在步骤(d1)中，加热所述半导体衬底，所述半导体衬底被设置在所述炉芯管中，同时所述半导体衬底的顶部平行于所述水平面。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一半导体区的深度比所述第二半导体区和所述第三半导体区的每一个的深度深，以及

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的每一个都是双极晶体管。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体芯片不包括所述第二晶体管，并且所述第二半导体芯片不包括所述第一晶体管。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体区是所述第一晶体管的第一发射极区，并且所述第三半导体区是所述第二晶体管的第二发射极区。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，在步骤(d1)中，加热所述半导体衬底，由此具有所述第一导电类型的杂质被扩散。