[发明专利]成膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种成膜装置：在真空容器内使旋转台旋转，使旋转台上的基板依次通过原料气体的供给区域、与原料发生反应的反应气体的供给区域，从而在基板上成膜。

背景技术

作为在半导体晶圆等基板(以下，称为“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO₂)等薄膜的方法，已知有所谓的ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)法。作为实施该ALD法的装置，已知有这样的装置：使配置在真空容器内的旋转台上的多个晶圆利用旋转台进行公转，依次通过供给原料气体的区域、供给与原料气体发生反应的反应气体的区域。在旋转台上配置有用于使各晶圆落入而对各晶圆进行保持的凹部，该凹部为了在晶圆的外缘设有间隙(为了以晶圆装卸自如的方式保持晶圆)，而形成为俯视观察时比晶圆大一圈。

已知晶圆由外部的输送臂刚交接到旋转台的凹部内之后，由于加热时面内温度的不均匀，而其中央部比周缘部鼓起地弯曲，随着面内温度的均匀性的提高，所述弯曲逐渐消失。另一方面，由于使旋转台进行旋转，因此在伴随着该旋转的离心力的作用下，晶圆在凹部内向旋转台的外周侧移动所述间隙的量。这样，晶圆一边要从弯曲状态恢复为平坦状态，一边移动，其周缘部擦蹭着凹部底面地移动，有可能产生微粒。

因此，提出了在所述凹部的底面设置俯视形状比晶圆小的晶圆载置台的结构。采用该结构，能够抑制晶圆的周缘部与凹部底面的擦蹭，因此能够抑制微粒的产生。但是，本发明人得出如下见解：在进行旋转台的转速较高的工艺、处理气氛的压力较高的工艺的情况下，在晶圆的周缘部的一部分产生膜厚局部较厚的现象。本发明人推测该现象是因为在载置台的周围的槽部内局部滞留有较浓的气体，该较浓的气体蔓延到晶圆的表面所致。可是，追求膜形成为：晶圆的中心侧的膜厚比较厚，随着朝向晶圆的周缘侧去而膜厚变薄，并且晶圆的周向上的膜厚的均匀性高。但是，如所述那样，若发生较浓的气体向表面蔓延，则晶圆的周缘部的周向上产生膜厚不均匀，可能无法充分满足该要求。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种成膜装置，在真空容器内使旋转台旋转，对旋转台上的基板进行成膜处理时，能够确保基板的周缘部的周向上的良好膜厚均匀性。

用于解决问题的方案

本发明的成膜装置在真空容器内使旋转台旋转，而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域，由此在基板上成膜，其中，

该成膜装置包括：

凹部，其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个，形成为分别收纳所述基板；

载置部，其用于在所述凹部内支承基板的比周缘部靠中央的部位；

槽部，其为环状，形成为在所述凹部内包围所述载置部；

连通路，其包括连通槽或连通孔，该连通槽或连通孔形成为在从所述载置部的中心进行观察时从所述槽部的靠所述旋转台的旋转中心侧的区域连通到该凹部的外部的区域；以及

排气口，其用于对所述真空容器内进行真空排气，

所述外部的区域是与所述凹部相邻的其他凹部内的载置部的周围的环状的槽部或者所述旋转台的外周缘的外侧。

附图说明

添加的附图作为本说明书的一部分编入，表示本发明的实施方式，与所述一般说明及后述的实施方式的详细内容一起说明本发明的概念。

图1是表示本发明的实施方式的成膜装置的纵剖视图。

图2是表示本发明的实施方式的成膜装置的横剖视图。

图3是表示成膜装置的旋转台的俯视图。

图4是表示旋转台的一部分的立体图。

图5是以沿径向的剖面表示旋转台的纵剖视图。

图6是表示以沿I-I线的剖面表示旋转台的纵剖视图。

图7是将参考例中的旋转台的凹部和晶圆的膜厚分布相对应地表示的说明图。

图8是示意性地表示参考例中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。

图9是示意性地表示本发明的实施方式中的旋转台的凹部内的气体流的情况的说明图。

图10是表示本发明的另一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。

图11是表示本发明的又一实施方式的旋转台的一部分的俯视图。

图12是表示本发明的实施方式和参考例的晶圆的面内膜厚分布的特性图。

具体实施方式