[发明专利]具有空腔的聚合物系半导体结构

权利要求书

1.一种具有空腔的聚合物系半导体的结构，其包含：

装置裸片；

囊封材料，在其中囊封所述装置裸片；

导电线圈，穿透所述囊封材料；以及

空腔，在所述囊封材料中，其中所述空腔穿透所述囊封材料；

其中所述空腔被所述导电线圈围绕。

2.根据权利要求1所述的结构，进一步包含：

多个介电层，在所述囊封材料上方；以及

再分布线，在所述介电层中，其中所述空腔进一步以所述空腔包含从所述介电层的最顶部层的顶部表面延伸到所述囊封材料的底部表面的侧壁而穿透所述介电层。

3.根据权利要求2所述的结构，进一步包含：

焊料区，在所述介电层的顶部表面；以及

封装件元件，接合到所述焊料区。

4.根据权利要求1所述的结构，

其中所述空腔被所述导电线圈螺旋形围绕。

5.根据权利要求4所述的结构，进一步包含铁磁体材料，放置在所述空腔中。

6.根据权利要求1所述的结构，进一步包含摄像机，放置在所述空腔中。

7.根据权利要求1所述的结构，进一步包含：

介电层，在所述囊封材料下方，其中所述空腔进一步穿透所述介电层。

8.一种具有空腔的聚合物系半导体的结构，其包含：

封装件，其包含：

装置裸片；

囊封材料，在其中囊封所述装置裸片；

电感，其包含：

线圈，其包含一部分，所述部分从所述囊封材料的顶部表面延伸到所述囊封材料的底部表面；以及

至少一个介电层，在所述囊封材料以及所述线圈的所述部分上方；

多个再分布线，在所述至少一个介电层中，其中所述电感通过所述再分布线电耦合到所述装置裸片；以及

空腔，其中所述空腔被所述线圈围绕以及穿透所述囊封材料以及所述至少一个介电层。

9.根据权利要求8所述的结构，其中所述空腔从所述至少一个介电层中的最顶部层的顶部表面延伸到所述囊封材料的所述底部表面。

10.根据权利要求8所述的结构，其中所述空腔具有与所述囊封材料的所述顶部表面和所述底部表面垂直的侧壁。

11.根据权利要求8所述的结构，其中所述空腔具有既不与所述囊封材料的所述顶部表面和所述底部表面垂直也不与所述囊封材料的所述顶部表面和所述底部表面平行的倾斜侧壁。

12.根据权利要求8所述的结构，进一步包含铁磁体材料，放置在所述空腔中。

13.根据权利要求8所述的结构，进一步包含摄像机，放置在所述空腔中。

14.根据权利要求8所述的结构，进一步包含印刷电路板，所述印刷电路板接合到所述封装件，其中所述印刷电路板覆盖所述空腔。

15.一种制造具有空腔的聚合物系半导体的方法，其包含：

在囊封材料中囊封装置裸片；

在部分所述装置裸片共平面处形成电感；

平坦化所述装置裸片的顶部表面以及所述囊封材料的顶部表面；

在所述囊封材料以及所述装置裸片上方形成至少一个介电层；

在所述至少一个介电层中形成多个再分布线，其中所述再分布线电耦合到所述装置裸片；以及

去除所述囊封材料以及所述至少一个介电层的一部分，以形成空腔，所述空腔穿透所述至少一个介电层以及所述囊封材料；

其中所述空腔被所述电感围绕。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包含将组件插入到所述空腔中。