[发明专利]具有空腔的聚合物系半导体结构

说明书

本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构。一种结构，其包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面；以及空腔，在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。

技术领域

本揭露涉及一种具有空腔的聚合物系半导体结构和其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/裸片变得越来越小。于此同时，更多功能必须被集成到半导体裸片中。据此，半导体裸片必须具有越来越大数目的输入/输出(input/output，I/O)垫封装到较小的面积中，且I/O垫的密度随时间快速上升。结果，半导体裸片的封装变得更困难，其负面地影响封装成出率。

习用封装件技术可分成两类别。在第一类别中，在晶片上的裸片是在它们被锯下之前封装。此封装技术具有一些有利特征，例如较大产能以及较低成本。再者，需要较少底胶填充或模塑料。然而，此封装技术也受缺点所苦。由于裸片的大小变得越来越小，以及对应封装件仅可以是扇入型封装件，其中各裸片的I/O垫限制在直接在对应裸片表面上方的区。以受限的裸片面积，I/O垫的数目因I/O垫节距的限制而受限。如果将垫的节距降低，那么焊料区可能彼此桥接，而造成电路故障。另外，在固定球大小的要求下，焊球必然具有一定大小，其进而限制可封装在裸片表面上的焊球数目。

在另一类别封装中，裸片是在它们被封装之前从晶片上锯下。此封装的一有利特征是形成扇出封装件的可能性，其意味着在裸片上的I/O垫可再分布到大于所述裸片的面积，而因此可增加封装在裸片表面上的I/O垫的数目。此封装技术的另一有利特征是将“已知良好裸片(known-good-die)”封装，并将缺陷裸片丢弃，而因此不会将成本与气力浪费在缺陷裸片上。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种结构包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面；以及空腔，在所述囊封材料中。所述空腔穿透所述囊封材料。

根据本揭露的一些实施例，一种封装件包括装置裸片；以及囊封材料，在其中囊封所述装置裸片。所述囊封材料具有顶部表面，与所述装置裸片的顶部表面共平面。电感，其包括线圈，所述线圈具有一部分，所述部分从所述囊封材料的所述顶部表面延伸到所述囊封材料的所述底部表面。至少一个介电层是在所述囊封材料以及所述线圈的所述部分上方。多个再分布线形成在所述至少一个介电层中。所述电感是通过所述再分布线电耦合到所述装置裸片。空腔，穿透所述囊封材料以及所述至少一个介电层。

根据本揭露的一些实施例，一种方法包括：在囊封材料中囊封装置裸片；平坦化所述装置裸片的顶部表面以及所述囊封材料的顶部表面；在所述囊封材料以及所述装置裸片上方形成至少一个介电层；以及在所述至少一个介电层中形成多个再分布线。所述再分布线电耦合到所述装置裸片。去除所述囊封材料以及所述至少一个介电层的一部分，以形成空腔，所述空腔穿透所述至少一个介电层以及所述囊封材料。

附图说明

本揭露的方面将在与随附图式一同阅读下列详细说明下被最佳理解。请注意，根据业界标准作法，各种特征未依比例绘制。事实上，为了使讨论内容清楚，各种特征的尺寸可刻意放大或缩小。

图1到17是根据一些实施例绘示在一些封装件的形成中的中间阶段的剖面图。

图18是根据一些实施例绘示包括有插入到空腔中的铁磁体材料的封装件的剖面图。

图19A和19B是根据一些实施例绘示一些封装件的俯视图。

图20是根据一些实施例绘示用于形成封装件的工艺流程图。

具体实施方式