[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域，在所述存储区域的半导体衬底上形成多层叠层结构，每一叠层结构包括牺牲层和位于所述牺牲层上的介质层，在所述层叠结构中形成沟道孔，并在所述沟道孔的表面上形成存储层和沟道材料层；

在所述沟道孔的顶部形成顶部沟道材料层，以密封所述沟道孔；

在所述顶部沟道材料层的表面形成平坦层；

去除所述平坦层和所述层叠结构表面上的部分所述顶部沟道材料层；

去除所述层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层，

其中，在去除所述层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层时采用顶部沟道材料层对所述层叠结构中的顶部介质层具有高选择性的蚀刻工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟道材料层和所述顶部沟道材料层为多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述平坦层为通过流动性化学气相沉积工艺或旋涂法形成的氧化层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在去除所述平坦层和所述层叠结构表面上的部分所述顶部沟道材料层时采用具有低选择性回蚀刻工艺。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在去除所述层叠结构表面上剩余的顶部沟道材料层时，所采用的蚀刻工艺使得所述部沟道材料层对所述层叠结构中的顶部介质层的选择性在3:1以上。

6.根据权利要求1-5中的任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在去除所述层叠结构表面上剩余的所述顶部沟道材料层时采用非等离子基的干法蚀刻工艺。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述非等离子基的干法蚀刻工艺采用的蚀刻气体为NF3或NH3。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述沟道材料层之后还包括下述步骤：

在所述沟道孔中形成支撑柱。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述支撑柱的高度低于所述层叠结构中的顶部介质层的表面。

10.根据权利要求1-5中的任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括下述步骤：

去除所述牺牲层，并在所述介质层之间形成控制栅层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述控制栅层包括金属钨层。

12.一种基于权利要求1至11之一所述制作方法制备得到半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区域，在所述存储区域的半导体衬底上形成有多层叠层结构，每一叠层结构包括控制栅层和位于所述控制栅层上的介质层，在所述层叠结构中形成有沟道孔，并在所沟道孔的表面上形成存储层和沟道材料层，在所述沟道孔的顶部形成顶部沟道材料层，所述顶部沟道材料层的表面与所述层叠结构中的顶部介质层的表面对齐。

13.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。