[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有多个分立的初始鳍部，相邻初始鳍部之间具有隔离层；

在所述初始鳍部和所述隔离层上形成定位层；

刻蚀所述定位层和所述初始鳍部，在所述初始鳍部和所述定位层内形成沟槽，所述沟槽将所述初始鳍部分为沿延伸方向排列的多个鳍部；

在所述定位层上形成停止层；

填充所述沟槽，在所述沟槽内形成顶部表面与所述停止层齐平的初始隔离结构；

回刻所述初始隔离结构，形成所述隔离结构；在所述隔离结构上形成保护层；

去除所述定位层，露出所述隔离层；

回刻所述隔离层，露出所述鳍部侧壁的部分表面；

去除所述保护层，露出所述隔离结构；

形成位于所述隔离结构上的伪栅结构和位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；

形成所述隔离结构的步骤中，所述隔离结构的顶部以及所述定位层的侧壁围成第一开口；

形成所述保护层的步骤中，所述保护层位于所述第一开口底部，且在所述定位层内形成第二开口；

所述形成方法还包括：在形成所述第二开口之后，在去除所述定位层之前，填充所述第二开口以形成牺牲层；

回刻所述隔离层的过程中，减薄所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤中，所述保护层的材料包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，回刻所述隔离层之后，去除所述保护层之前，去除所述牺牲层露出所述保护层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤中，所述保护层的厚度在5纳米到15纳米到范围内。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层的材料为氧化硅。

6.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤中，所述保护层还位于所述定位层上；

形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层的顶部表面与所述定位层上的保护层齐平；

去除所述定位层的步骤包括：去除所述定位层上的保护层，露出所述定位层；去除所述定位层，露出所述隔离层。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：

填充所述第二开口，形成牺牲材料层，所述牺牲材料层还位于所述定位层上；

对所述牺牲材料层进行平坦化处理至露出所述定位层上的保护层，形成所述牺牲层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲材料层的步骤包括：通过高密度等离子体化学气相沉积的方式形成所述牺牲材料层。

9.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成保护层的步骤中，所述保护层还位于所述定位层侧壁上；

形成第二开口的步骤中，所述隔离结构上的保护层以及所述定位层侧壁上的保护层围成所述第二开口。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：通过原子层沉积或化学气相沉积的方式形成所述保护层。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，

去除所述定位层的步骤包括：去除所述定位层上的停止层，露出所述定位层；去除所述定位层，露出所述隔离层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成所述初始隔离结构的步骤包括：

填充所述沟槽，形成隔离材料层，所述隔离材料层还位于所述定位层上；

对所述隔离材料层进行平坦化处理至露出所述停止层，形成所述初始隔离结构。