[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在基板上形成隔离层和由所述隔离层限定的有源区；

在所述隔离层和所述有源区上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成多个柱掩模，所述多个柱掩模互相间隔开第一间隔和小于所述第一间隔的第二间隔；

在所述多个柱掩模上形成间隔物；

通过部分地去除所述间隔物，在其中所述多个柱掩模互相间隔开所述第二间隔的区域中形成掩模桥；以及

通过使用所述多个柱掩模和所述掩模桥蚀刻所述绝缘层，形成暴露所述有源区的接触孔。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述形成所述间隔物包含在所述多个柱掩模上共形地形成所述间隔物。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述形成所述间隔物包含将所述间隔物形成为在其中所述多个柱掩模互相间隔开所述第二间隔的区域中合并。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中所述形成所述掩模桥包含使用合并的所述间隔物形成所述掩模桥。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述间隔物具有第一厚度并且所述第二间隔是所述第一厚度的2倍或更小倍。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述形成所述多个柱掩模包含形成彼此邻近的第一至第四柱掩模；以及所述形成所述第一至第四柱掩模包含在第一方向上形成所述第一和第二柱掩模以及在垂直于所述第一方向的第二方向上形成所述第三和第四柱掩模。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中所述第一间隔包括第一方向间隔和小于所述第一方向间隔的第二方向间隔，所述第一方向间隔在所述第一和第二柱掩模之间延伸，所述第二方向间隔在所述第三和第四柱掩模之间延伸。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述多个柱掩模包含圆柱、椭圆柱和/或具有圆化角的矩形柱。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中所述多个柱掩模是具有圆化角的矩形柱并且包含它们的相应角彼此面对的一对相邻的柱掩模以及它们的相应边彼此面对的一对相邻的柱掩模。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述第一间隔是在它们的相应角彼此面对的所述一对相邻的柱掩模之间的间隔，并且所述第二间隔是在它们的相应边彼此面对的所述一对相邻的柱掩模之间的间隔。

11.一种半导体器件的制造方法，包括：

在基板上形成隔离层和由所述隔离层限定的有源区；

在所述有源区和所述隔离层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一至第四柱掩模，所述第一至第四柱掩模围绕所述绝缘层的区域并且互相间隔开第一间隔和小于所述第一间隔的第二间隔；

在所述第一至第四柱掩模上形成间隔物；

通过部分地去除所述间隔物，在其中所述第一至第四柱掩模互相间隔开所述第二间隔的区域中形成掩模桥；以及

通过使用所述第一至第四柱掩模和所述掩模桥蚀刻所述绝缘层，形成暴露所述有源区的接触孔，

其中所述形成所述接触孔包含通过蚀刻由所述第一至第四柱掩模和所述掩模桥暴露的所述绝缘层的所述区域的顶表面而形成矩形接触孔。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其中所述形成所述第一至第四柱掩模包含在第一方向上形成所述第一和第二柱掩模以及在垂直于所述第一方向的第二方向上形成所述第三和第四柱掩模。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中所述第一间隔包括第一方向间隔和小于所述第一方向间隔的第二方向间隔，所述第一方向间隔在所述第一和第二柱掩模之间延伸，所述第二方向间隔在所述第三和第四柱掩模之间延伸。