[发明专利]电容膜组成物和电容膜及该电容膜之制备和封装方法

权利要求书

1.一种高分子介电电容膜，其特征在于：包括一第一离形片及一高分子介电电容膜层，该高分子介电电容膜层系形成于该第一离形片之可剥离面上,且所述高分子介电电容膜层包含组合物，所述组合物包含热固性树脂、紫外光硬化树脂、至少一种硬化剂及高介电材料粉末；所述热固性树脂为环氧树脂；

该高介电材料粉末系选自由氧化铝、钛酸钡、氧化锆或二氧化钛所组成之群组；

该热固性树脂、紫外光硬化树脂及高介电材料粉末之比例为20～40wt％:5～15wt％:45～75wt％；

所述高分子介电电容膜通过以下方法制备得到：

(a)提供一第一离形片；

(b)混合热固性树脂、紫外光硬化树脂、至少一种硬化剂及高介电材料粉末，获得一高分子介电电容浆液；

(c)将该高分子介电电容浆液涂覆于该第一离形片之可剥离面上，形成一湿膜，并烘烤形成一高分子介电电容膜层。

2.根据权利要求1所述的高分子介电电容膜，其特征在于：该高分子介电电容膜层之厚度为5至250微米。

3.根据权利要求1所述的高分子介电电容膜，其特征在于：系用于半导体封装之用途。

4.根据权利要求1所述的高分子介电电容膜，其特征在于：系用于指纹辨识芯片封装之用途。

5.根据权利要求1所述的高分子介电电容膜，其特征在于：包含一第二离形片之可剥离面附于该高分子介电电容膜层上。

6.一种半导体芯片封装之方法，其特征在于：该方法包含将权利要求1至5任一项之高分子介电电容膜之高分子介电电容膜层黏着于一表面具有电路之半导体切割基板任意面，剥离该第一离形片，就各电路连同高分子介电电容膜层切割该切割基板。

7.一种指纹辨识芯片封装之方法，其特征在于：该方法包含：

(a)提供一基板，该基板具有一对表面以及多个接垫，该对表面分别位于该基板的两侧，而该多个接垫裸露于其中一该表面；

(b)设置一指纹辨识芯片于该基板上，将至少一导线利用反向打线的方式电性连接其中至少一该接垫以及该指纹辨识芯片；

(c)完成打线之后，将权利要求1至5任一项之高分子介电电容膜层，积层于该基板上，该高分子介电电容膜层覆盖该指纹辨识芯片以及该导线。