[发明专利]电解铜箔及其制造方法、覆铜积层板、印刷配线板及其制造方法以及电子机器的制造方法

权利要求书

1.一种电解铜箔，其在光泽面侧不具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.270μm以下，所述光泽面的均方根高度Sq为0.315μm以下。

2.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.230μm以下。

3.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.180μm以下。

4.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.292μm以下。

5.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.230μm以下。

6.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.150μm以下。

7.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.200μm以下。

8.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.133μm以下。

9.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.130μm以下。

10.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.180μm以下。

11.根据权利要求1所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.120μm以下。

12.根据权利要求1所述的电解铜箔，其满足以下A及B中的一个或两个：

(A)所述光泽面的面粗糙度Sa满足以下(a1)-(a10)中的一个或两个：

(a1)Sa为0.230μm以下、

(a2)Sa为0.180μm以下、

(a3)Sa为0.150μm以下、

(a4)Sa为0.133μm以下、

(a5)Sa为0.130μm以下、

(a6)Sa为0.120μm以下、

(a7)Sa为0.001μm以上、

(a8)Sa为0.010μm以上、

(a9)Sa为0.050μm以上、

(a10)Sa为0.100μm以上，

(B)所述光泽面的均方根高度Sq满足以下(b1)-(b10)中的一个或两个：

(b1)Sq为0.292μm以下、

(b2)Sq为0.230μm以下、

(b3)Sq为0.200μm以下、

(b4)Sq为0.180μm以下、

(b5)Sq为0.120μm以下、

(b6)Sq为0.115μm以下、

(b7)Sq为0.001μm以上、

(b8)Sq为0.010μm以上、

(b9)Sq为0.050μm以上、

(b10)Sq为0.100μm以上。

13.一种电解铜箔，其在光泽面侧具有粗化处理层，且所述光泽面的面粗糙度Sa为0.470μm以下，所述光泽面的均方根高度Sq为0.550μm以下。

14.根据权利要求13所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的面粗糙度Sa为0.380μm以下。

15.根据权利要求13所述的电解铜箔，其中，所述光泽面的均方根高度Sq为0.490μm以下。

16.根据权利要求13所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.355μm以下。

17.根据权利要求13所述的电解铜箔，其中，所述光泽面侧的面粗糙度Sa为0.300μm以下。