[发明专利]OLED显示器及其制作方法有效
申请号: | 201610983393.1 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106450032B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 金江江;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示器,其特征在于,包括基板(100)、设于所述基板(100)上的OLED器件(200)、及设于所述基板(100)、及OLED器件(200)上并覆盖OLED器件(200)的薄膜封装层(300);
所述薄膜封装层(300)包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层;所述薄膜封装层(300)中,每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层,无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置,无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置,且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层;
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小,从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区,所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
2.如权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述无机钝化层的材料为Al2O3、ZrO2、ZnO2、SiNx、SiCN、SiOx、或TiO2,所述无机钝化层的厚度为0.5-1μm;
所述有机缓冲层的材料为聚丙烯酸酯类聚合物、聚碳酸酯类聚合物、或聚苯乙烯,所述有机缓冲层的厚度为1-10μm;
所述类金刚石层的厚度为2-10μm。
3.如权利要求1所述的OLED显示器,其特征在于,所述薄膜封装层(300)包括2-5层无机钝化层、1-4层有机缓冲层、及1-4层类金刚石层。
4.如权利要求3所述的OLED显示器,其特征在于,所述薄膜封装层(300)包括两层无机钝化层、一层有机缓冲层、及一层类金刚石层,该两层无机钝化层由下至上分别为第一、第二无机钝化层(311、312),该一层有机缓冲层为第一有机缓冲层(321),该一层类金刚石层为第一类金刚石层(331);
所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘与第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区,所述第一类金刚石层(331)设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区。
5.如权利要求3所述的OLED显示器,其特征在于,所述薄膜封装层(300)包括三层无机钝化层、两层有机缓冲层、及两层类金刚石层,该三层无机钝化层由下至上分别为第一、第二、第三无机钝化层(311、312、313),该两层有机缓冲层由下至上分别为第一、第二有机缓冲层(321、322),该两层类金刚石层由下至上分别为第一、第二类金刚石层(331、332);
所述第一无机钝化层(311)对应所述第一有机缓冲层(321)的外侧边缘与第一无机钝化层(311)的外侧边缘之间形成的台阶区为第一台阶区,所述第一类金刚石层(331)设置于第一台阶区上并覆盖该第一台阶区;所述第二无机钝化层(312)对应所述第二有机缓冲层(322)的外侧边缘与第二无机钝化层(312)的外侧边缘之间形成的台阶区为第二台阶区,所述第二类金刚石层(332)设置于第二台阶区上并覆盖该第二台阶区。
6.一种OLED显示器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供基板(100),在所述基板(100)上形成OLED器件(200);
步骤2、在所述基板(100)、及OLED器件(200)上形成覆盖OLED器件(200)的薄膜封装层(300),得到OLED显示器;
其中,所述薄膜封装层(300)包括至少两层无机钝化层、至少一层有机缓冲层、及至少一层类金刚石层;所述薄膜封装层(300)中,每一类金刚石层与一层有机缓冲层相对应属于同层,无机钝化层和有机缓冲层交替层叠设置,无机钝化层和类金刚石层交替层叠设置,且无机钝化层比有机缓冲层、及类金刚石层在层数上多一层;
每一有机缓冲层的尺寸比下方相邻的无机钝化层的尺寸小,从而每一有机缓冲层下方相邻的无机钝化层对应该有机缓冲层的外侧边缘和该无机钝化层的外侧边缘之间的部分形成台阶区,所述类金刚石层设置于对应的台阶区上并覆盖该台阶区。
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