[发明专利]存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器结构，包括：

多个存储单元的一3D阵列，该3D阵列包括设置在其中的至少一虚拟区；

多条第一导线，设置在该3D阵列上；

多条第二导线，设置在所述第一导线上，其中所述第二导线和所述第一导线是在不同的方向上延伸；

一上方金属板，设置在所述第二导线上；以及

至少一搭接结构，用于所述第一导线，并对应地设置在该3D阵列的该至少一虚拟区上，该至少一搭接结构的每一个包括：

一连接结构，设置在该虚拟区上；及

一跳接线，设置在该连接结构上并耦接至该连接结构，该跳接线耦接至该上方金属板，其中该跳接线和所述第二导线是在相同的方向上延伸。

2.如权利要求1所述的存储器结构，其中该至少一搭接结构的每一个的该连接结构连接所述第一导线。

3.如权利要求2所述的存储器结构，其中该至少一搭接结构的每一个还包括：

多个第一跳接导孔，将该连接结构耦接至该跳接线；以及

多个第二跳接导孔，将该跳接线耦接至该上方金属板。

4.如权利要求2所述的存储器结构，还包括：

多条第三导线，设置在所述第二导线上，其中该上方金属板是设置在所述第三导线上，且其中所述第三导线和所述第二导线是在不同的方向上延伸；且

其中该至少一搭接结构的每一个还包括：

多个第一跳接导孔，将该连接结构耦接至该跳接线；

多个第二跳接导孔，将该跳接线耦接至所述第三导线的多个部分；以及

多个第三跳接导孔，将所述第三导线的所述部分耦接至该上方金属板。

5.如权利要求1所述的存储器结构，其中该上方金属板的一片电阻R_tm和所述第一导线的一片电阻R_fc满足等式：

R_tm≤0.01×R_fc。

6.如权利要求1所述的存储器结构，其中该至少一搭接结构的每一个的该连接结构和所述第一导线是设置在相同的层，且该至少一搭接结构的每一个的该跳接线和所述第二导线是设置在相同的层。

7.如权利要求1所述的存储器结构，其中所述第二导线的数目和该至少一搭接结构的该跳接线的总数目的比例在介于200∶1和20000∶1之间的范围内。

8.如权利要求1所述的存储器结构，其中该3D阵列的该至少一虚拟区的每一个包括所述存储单元中的2至16行，且该至少一搭接结构的每一个的该连接结构和该跳接线具有跨越所述存储单元中的该2至16行的宽度，且其中该至少一搭接结构的每一个的该跳接线具有等于所述第二导线的一节距2至16倍的一宽度。

9.如权利要求1所述的存储器结构，还包括：

多条辅助导线，直接形成在所述第一导线下，所述辅助导线作为多个源极端；以及

多个接触导孔，设置在相同于所述辅助导线的层，用于将所述连接结构耦接至所述存储单元的多个通道层，所述接触导孔作为多个漏极端；

其中所述源极端和所述漏极端设置在该3D阵列的该至少一虚拟区上，且所述源极端中的一者和所述漏极端中的对应一者彼此耦接。

10.一种存储器结构的制造方法，包括：

形成多个存储单元的一3D阵列，该3D阵列包括设置在其中的至少一虚拟区；

在该3D阵列上形成多条第一导线，并在该3D阵列的该至少一虚拟区上对应地形成用于所述第一导线的至少一搭接结构的至少一连接结构；

在所述第一导线上形成多条第二导线，并在该至少一连接结构上形成该至少一搭接结构的至少一跳接线，其中该至少一跳接线耦接至该至少一连接结构，且其中所述第二导线和所述第一导线是在不同的方向上延伸，该至少一跳接线和所述第二导线是在相同的方向上延伸；以及

在所述第二导线和该至少一跳接线上形成一上方金属板，其中该至少一跳接线耦接至该上方金属板。