[发明专利]MOS管参数退化电路和MOS管参数退化预警电路

权利要求书

1.一种MOS管参数退化电路，其特征在于，包括：CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；所述CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；

所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接，作为所述CMOS反相器的输入端；所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极连接，作为所述CMOS反相器的输出端；所述第一PMOS管的源极接电源，所述第一NMOS管的源极接地；所述CMOS反相器的输入端分别与所述应力施加电路的输出端、所述参数测量电路的输出端连接；

所述应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，所述应力施加电路接收控制信号后对所述CMOS反相器的第一PMOS管施加负栅压偏置应力或者正栅压偏置应力；

所述参数测量电路在第二模式选择信号的控制下导通，所述参数测量电路接收输入信号，将所述输入信号输出至所述CMOS反相器的输入端，所述CMOS反相器的输出端输出与所述输入信号反相的输出信号；所述第一模式选择信号与所述第二模式选择信号为互补信号；

所述输入信号为低电平信号时，所述第一PMOS管导通，所述第一NMOS管截止，所述CMOS反相器的输出端输出高电平信号；所述输入信号为高电平信号时，所述第一PMOS管截止，所述第一NMOS管导通，所述CMOS反相器的输出端输出低电平信号。

2.根据权利要求1所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述应力施加电路包括第一门控开关电路和缓冲器，所述第一门控开关电路通过所述缓冲器与所述CMOS反相器的输入端连接；

所述第一门控开关电路在所述第一模式选择信号的控制下导通；所述第一门控开关电路的输入端接收所述控制信号，将所述控制信号经所述缓冲器传输至所述CMOS反相器的输入端。

3.根据权利要求2所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述第一门控开关电路包括第一反相器和第一CMOS传输门；

所述第一CMOS传输门的输出端与所述缓冲器的输入端连接，所述第一CMOS传输门的第一控制端与第二控制端分别与所述第一反相器的输入端与输出端连接；所述第一CMOS传输门的输入端作为所述第一门控开关电路的输入端；

所述第一反相器的输入端与所述第一CMOS传输门的第一控制端分别接收所述第一模式选择信号，所述第一反相器的输出端输出与所述第一模式选择信号反相的第一反相信号，所述第一CMOS传输门的第二控制端接收所述第一反相信号。

4.根据权利要求3所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述参数测量电路包括第二门控开关电路；所述第二门控开关电路在所述第二模式选择信号的控制下导通；所述第二门控开关电路输入端接收所述输入信号，将所述输入信号输出至所述CMOS反相器的输入端。

5.根据权利要求4所述的MOS管参数退化电路，其特征在于，所述第二门控开关电路包括第二CMOS传输门；

所述第二CMOS传输门的输出端与所述CMOS反相器的输入端连接，所述第二CMOS传输门的第三控制端与第四控制端分别与所述第一反相器的输入端与输出端连接；

所述第一反相器的输入端与所述第二CMOS传输门的第三控制端分别接收所述第二模式选择信号，所述第一反相器的输出端输出与所述第二模式选择信号反相的第二反相信号，所述第二CMOS传输门的第四控制端接收所述第二反相信号。