[发明专利]动态随机存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构和层间介质层，所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区，所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面；

在所述层间介质层中形成第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构一侧的源漏掺杂区；

在所述第一开口中形成存储结构，所述存储结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。

2.根据权利要求1所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，形成所述存储结构的方法包括：在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一导电层；在所述第一开口中形成位于第一导电层上的存储介质层；在所述第一开口中形成位于存储介质层上的第二导电层。

3.根据权利要求2所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述栅极结构具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和第二侧暴露出源漏掺杂区。

4.根据权利要求3所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，当所述栅极结构第一侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个，且所述栅极结构第二侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个时，第一导电层在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个，各个第一导电层分别位于栅极结构一侧的各个源漏掺杂区表面且分立设置。

5.根据权利要求4所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述第一开口位于栅极结构的第一侧，所述第一开口还延伸至第一侧在平行于栅极结构延伸方向上相邻源漏掺杂区之间的基底上；形成所述第一导电层的方法包括：在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一初始导电层；去除相邻源漏掺杂区之间基底上的第一初始导电层，形成所述第一导电层。

6.根据权利要求3所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述第一开口位于栅极结构的第一侧；所述动态随机存储器的形成方法还包括：在所述层间介质层中形成第二开口，所述第二开口暴露出栅极结构第二侧的源漏掺杂区；在所述第二开口中形成位线层。

7.根据权利要求6所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一开口的同时形成所述第二开口。

8.根据权利要求6所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，当所述栅极结构第一侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个，且所述栅极结构第二侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个时，位线层在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个，各个位线层分别位于栅极结构第二侧的各个源漏掺杂区表面且分立设置。

9.根据权利要求8所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述第二开口还延伸至第二侧在平行于栅极结构延伸方向上相邻源漏掺杂区之间的基底上；形成所述位线层的方法包括：在所述第二开口的底部表面和侧壁表面形成初始位线层；去除相邻源漏掺杂区之间基底上的初始位线层，形成所述位线层。

10.根据权利要求1所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述存储结构为阻变存储结构，所述存储介质层的材料为阻变材料；或者，所述存储结构为相变存储结构，所述存储介质层的材料为相变材料；或者，所述存储结构为电容存储结构，所述存储介质层的材料为电容介质材料。

11.根据权利要求10所述的动态随机存储器的形成方法，其特征在于，所述阻变材料为氧化铪、氧化锆、氧化铜或氧化锌；所述相变材料为硫属化物；或者，所述相变材料为含锗、锑和碲的合成材料；所述电容介质材料为氧化铪、氧化铝或氧化锆。