[发明专利]动态随机存储器及其形成方法在审
申请号: | 201610994767.X | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN108075038A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 林曦;沈忆华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 动态随机存储器 栅极结构 基底 层间介质层 源漏掺杂区 存储介质层 第一导电层 开口 存储结构 第二导电层 底部表面 开口侧壁 暴露 | ||
一种动态随机存储器及其形成方法,其中动态随机存储器的形成方法包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构和层间介质层,所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区,所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面;在所述层间介质层中形成第一开口,所述第一开口暴露出栅极结构一侧的源漏掺杂区;在所述第一开口中形成存储结构,所述存储结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。所述动态随机存储器的形成方法使得工艺得到简化。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种动态随机存储器及其形成方法。
背景技术
动态随机存储器是一种重要的存储器。动态随机存储器的存储单元主要包括一个存储电容、和存储电容串联连接的一个晶体管。其中,存储电容用于存储数据,晶体管用于控制对存储电容中数据的存储。
动态随机存储器的工作原理为:动态随机存储器的字线(word line)电连接至存储单元中晶体管的栅极,字线控制所述晶体管的开关;所述晶体管的源极电连接至位线(bit line),以形成电流传输通路;所述晶体管的漏极电连接至所述存储电容的存储基板,以达到数据存储或输出的目的。
目前,常用的动态随机存储器中,存储电容通常设计为沟槽式电容或者堆叠式电容。其中,沟槽式电容深埋在半导体衬底中,堆叠式电容堆叠于半导体衬底上。
然而,现有技术形成的动态随机存储器的工艺较为复杂。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种动态随机存储器及其形成方法,以简化形成动态随机存储器的工艺。
为解决上述问题,本发明提供一种动态随机存储器的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有栅极结构和层间介质层,所述栅极结构两侧的基底中分别具有源漏掺杂区,所述层间介质层位于栅极结构、基底和源漏掺杂区的表面;在所述层间介质层中形成第一开口,所述第一开口暴露出栅极结构一侧的源漏掺杂区;在所述第一开口中形成存储结构,所述存储结构包括位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一导电层、位于第一导电层上的存储介质层和位于存储介质层上的第二导电层。
可选的,形成所述存储结构的方法包括:在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一导电层;在所述第一开口中形成位于第一导电层上的存储介质层;在所述第一开口中形成位于存储介质层上的第二导电层。
可选的,所述栅极结构具有相对的第一侧和第二侧,所述第一侧和第二侧暴露出源漏掺杂区。
可选的,当所述栅极结构第一侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个,且所述栅极结构第二侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个时,第一导电层在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个,各个第一导电层分别位于栅极结构一侧的各个源漏掺杂区表面且分立设置。
可选的,所述第一开口位于栅极结构的第一侧,所述第一开口还延伸至第一侧在平行于栅极结构延伸方向上相邻源漏掺杂区之间的基底上;形成所述第一导电层的方法包括:在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成第一初始导电层;去除相邻源漏掺杂区之间基底上的第一初始导电层,形成所述第一导电层。
可选的,所述第一开口位于栅极结构的第一侧;所述动态随机存储器的形成方法还包括:在所述层间介质层中形成第二开口,所述第二开口暴露出栅极结构第二侧的源漏掺杂区;在所述第二开口中形成位线层。
可选的,在形成所述第一开口的同时形成所述第二开口。
可选的,当所述栅极结构第一侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个,且所述栅极结构第二侧的源漏掺杂区在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个时,位线层在平行于栅极结构延伸方向上的数量为多个,各个位线层分别位于栅极结构第二侧的各个源漏掺杂区表面且分立设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610994767.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。