[发明专利]一种保持电压的产生电路及电子设备

权利要求书

1.一种保持电压的产生电路，其特征在于，包括：

驱动模块，用于产生驱动电流；

第一保持电压生成模块，用于产生第一保持电压，所述第一保持电压等于耗电模块中的NMOS管的阈值电压；

第二保持电压生成模块，用于产生第二保持电压，所述第二保持电压等于所述耗电模块中的PMOS管的阈值电压；

保持电压选择模块，接收所述驱动电流并与所述第一保持电压生成模块以及所述第二保持电压生成模块耦接，所述保持电压选择模块用于从所述第一保持电压与所述第二保持电压中选择电压值较高的一个，以作为所述保持电压，所述保持电压用于向所述耗电模块供电；

其中，所述保持电压选择模块包括：

第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极与所述第一保持电压生成模块耦接，所述第二NMOS管的栅极和漏极相连并接收所述驱动电流；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述第二保持电压生成模块耦接，所述第三NMOS管的栅极和漏极相连并接收所述驱动电流；

第四NMOS管以及第五NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的源极耦接以输出所述保持电压，所述第四NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的漏极以及所述第五NMOS管的漏极耦接电源。

2.根据权利要求1所述的产生电路，其特征在于，所述第一保持电压生成模块包括：

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与栅极相连并与所述保持电压选择模块耦接，所述第一NMOS管的源极接地。

3.根据权利要求2所述的产生电路，其特征在于，所述第一NMOS管与所述耗电模块中的NMOS管的结构相同。

4.根据权利要求1所述的产生电路，其特征在于，所述第二保持电压生成模块包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的漏极与栅极相连并接地，所述第一PMOS管的源极与所述保持电压选择模块耦接。

5.根据权利要求4所述的产生电路，其特征在于，所述第一PMOS管与所述耗电模块中的PMOS管的结构相同。

6.根据权利要求1所述的产生电路，其特征在于，所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管具有相同的阈值电压。

7.根据权利要求1所述的产生电路，其特征在于，所述驱动模块包括：

第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极与源极相连并与电源耦接，所述第二PMOS管的漏极与所述保持电压选择模块耦接；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的栅极与源极相连并与所述电源耦接，所述第三PMOS管的漏极与所述保持电压选择模块耦接。

8.根据权利要求1至7任一项所述的产生电路，其特征在于，所述耗电模块为SRAM。

9.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的保持电压的产生电路以及与其耦接的耗电模块。