[发明专利]一种处理水位检测信号的电路在审

专利信息
申请号: 201610995015.5 申请日: 2016-11-11
公开(公告)号: CN108072418A 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 曾国春 申请(专利权)人: 曾国春
主分类号: G01F23/00 分类号: G01F23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 信号输入线路 漏极 水位检测信号 电容 串联 电路 串并联线路 功率产生 并联 三源 限压 天线
【权利要求书】:

1.一种处理水位检测信号的电路,其特征在于:包括NMOS管一(N1)、NMOS管二(N2)、NMOS管三(N3)、NMOS管四(N4)、电容一(C1)及多个串联的P沟道增强型场效应管,NMOS管三(N3)、NMOS管四(N4)及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管,所述NMOS管三(N3)的漏极和源极分别与NMOS管四(N4)漏极和NMOS管一(N1)漏极连接,NMOS管二(N2)的漏极与NMOS管四(N4)源极连接,NMOS管一(N1)源极和NMOS管二(N2)源极均接地,所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三(R3)和电阻四(R4)后与电容一(C1)并联构成串并联线路,该串并联线路一端与NMOS管三(N3)漏极和NMOS管四(N4)漏极之间的线路连接,其另一端接地,所述NMOS管一(N1)和NMOS管二(N2) 两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和电阻四(R4)之间的线路连接;所述NMOS管一(N1)漏极和NMOS管三(N3)源极之间的线路上连接有信号输入线路一(Ant1),NMOS管二(N2)漏极与NMOS管四(N4)漏极之间的线路上连接有信号输入线路二(Ant2)。

2.根据权利要求1所述的一种处理水位检测信号的电路,其特征在于:所述NMOS管一(N1)漏极和NMOS管三(N3)源极之间的线路上连接有电阻一(R1),所述信号输入线路一(Ant1)连接在电阻一(R1)与NMOS管一(N1)漏极之间的线路上;所述NMOS管二(N2)漏极与NMOS管四(N4)源极之间的线路上连接有电阻二(R2),所述信号输入线路二(Ant2)连接在电阻二(R2)与NMOS管二(N2)漏极之间的线路上。

3.根据权利要求1或2所述的一种处理水位检测信号的电路,其特征在于:所述P沟道增强型场效应管的数量为五个。

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