[发明专利]一种处理水位检测信号的电路

说明书

本发明公开了一种处理水位检测信号的电路，包括NMOS管一、NMOS管二、NMOS管三、NMOS管四、电容一、信号输入线路一、信号输入线路二及多个串联的P沟道增强型场效应管，多个串联的P沟道增强型场效应管与电容一并联构成串并联线路。信号输入线路一连接在NMOS管一漏极和NMOS管三源极之间的线路上，信号输入线路二连接在NMOS管二漏极与NMOS管四漏极之间的线路上。本发明通过调整NMOS管一和NMOS管二实现天线的电压限压，不会对功率产生影响。

技术领域

本发明涉及水位检测技术，具体是一种处理水位检测信号的电路。

背景技术

目前人们常常通过对江河、湖泊、水库、河口、渠道、船闸及各种水工建筑物处水位进行测量，来实现对水文系统的监测。具体检测时由传感器采集数据，并上传至汇集中心站，中心站根据汇集的数据进行模型演算进行预警服务。现有水位检测终端应用时，其受检测距离的影响，检测到的电压信号会在较大范围内波动，而电压过大时易对水位检测终端内部元器件造成损伤，因此，将将检测到的电压信号限制在一定范围之内尤其必要。最简单直接的限压措施是降低耦合系数，现今人们常常通过调整水位检测终端的输入电容来降低耦合系数，然而，改水位检测终端的输入电容，即是改变谐振频率，降低耦合系数，水位检测终端中传送的功率也会降低，在大规模集成电路设计中电容的实现会占用较大的芯片面积，而且电容的参数浮动相对较大。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种便于操作控制，结构简单，且在进行电压限压时不会影响传送功率的一种处理水位检测信号的电路。

本发明的目的主要通过以下技术方案实现：一种处理水位检测信号的电路，包括NMOS管一、NMOS管二、NMOS管三、NMOS管四、电容一及多个串联的P沟道增强型场效应管，NMOS管三、NMOS管四及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管，所述NMOS管三的漏极和源极分别与NMOS管四漏极和NMOS管一漏极连接，NMOS管二的漏极与NMOS管四源极连接，NMOS管一源极和NMOS管二源极均接地，所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三和电阻四后与电容一并联构成串并联线路，该串并联线路一端与NMOS管三漏极和NMOS管四漏极之间的线路连接，其另一端接地，所述NMOS管一和NMOS管二两者的栅极均与多个串联的P沟道增强型场效应管和电阻四之间的线路连接；所述NMOS管一漏极和NMOS管三源极之间的线路上连接有信号输入线路一，NMOS管二漏极与NMOS管四漏极之间的线路上连接有信号输入线路二。其中，本发明在应用时，信号输入线路一和信号输入线路二用于外接天线。本发明中二极管连接的MOS管是将MOS管的栅极和源极连接在一起，由于MOS管在一定电压下存在漏电流，所以本发明中二极管连接的MOS管用来模拟一个阻值很大的电阻，并且可以通过调整MOS管的参数来实现对阻值的控制。

所述NMOS管一漏极和NMOS管三源极之间的线路上连接有电阻一，所述信号输入线路一连接在电阻一与NMOS管一漏极之间的线路上；所述NMOS管二漏极与NMOS管四源极之间的线路上连接有电阻二，所述信号输入线路二连接在电阻二与NMOS管二漏极之间的线路上。

作为优选，所述P沟道增强型场效应管的数量为五个。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：本发明整体结构简单，使用电子元件的数量少，集成在模块上时体积小，便于实现、成本低，且本发明在应用时通过提高NMOS管一和第二增强型场效应管的栅极电压，不会对功率产生影响，在输入电压高于一定电压值时使并联分流电路导通，使电路的电流变大，从而使电压稳压在一定的范围内。

附图说明

图1为本发明实施例的结构示意图。