[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板分装装置

说明书

本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板分装装置，包括第一抓滑板、第一连接器、分装盒、第二连接器、接线窗、第二抓滑板、卡箍、滑盖门、卡位槽、顶板、侧板、折板、旋转轴、插槽和分装盒主支撑座，所述第一抓滑板的右端固定有第二抓滑板，所述第一连接器的右端镶嵌有分装盒，且分装盒的中间设置有旋转轴，所述卡箍的内部固定有分装盒，所述接线窗的下方连接有滑盖门，所述顶板的右下方连接有侧板，所述插槽的左端固定有分装盒主支撑座。整个氮化铝陶瓷基板分装装置可将基板的工作状态呈双向放置和全密封和半密封两种，彻底将氮化铝陶基板成品和基材与碱性元素隔离，不会使基板上落入灰尘，整洁度高，也便于生产中的分装存储。

技术领域

本发明涉及氮化铝设备技术领域，具体为一种氮化铝陶瓷基板分装装置。

背景技术

氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成AI65.81％，N 34.19％，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性，同时氮化铝陶瓷基片是理想的大规模集成电路散热基板制造材料和作用于光通信系统中的光开关器件的封装材料，可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等，但是氮化铝陶瓷基片热导率高，在遇热时会自发将热量向四周发散，容易造成耐热性差的物体性能损坏，同时对于碱性物体或溶液接触容易被侵蚀，在未接装作用于电元件时，只能大致将其堆积一处，无法很好的将氮化铝陶瓷基板成品和基材彻底与碱性元素隔离，无法达到有效保护的目的，易造成连带性经济损失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氮化铝陶瓷基板分装装置，以解决上述背景技术中提出的氮化铝陶瓷基片热导率高，在遇热时会自发将热量向四周发散，容易造成耐热性差的物体性能损坏，同时对于碱性物体或溶液接触容易被侵蚀，在未接装作用于电元件时，只能大致将其堆积一处，无法很好的将氮化铝陶瓷基板成品和基材彻底与碱性元素隔离，无法达到有效保护的目的，易造成连带性经济损失的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种氮化铝陶瓷基板分装装置，包括第一抓滑板、第一连接器、分装盒、第二连接器、接线窗、第二抓滑板、卡箍、滑盖门、卡位槽、顶板、侧板、折板、旋转轴、插槽和分装盒主支撑座，所述第一抓滑板的右端固定有第二抓滑板，所述第一连接器的右端镶嵌有分装盒，且分装盒的中间设置有旋转轴，所述卡箍的内部固定有分装盒，所述卡位槽的上方两端安装有第一连接器，且第二连接器的上方设置有第一连接器，所述接线窗的下方连接有滑盖门，所述顶板的右下方连接有侧板，且侧板的右端设置有插槽，所述折板的下方安装有旋转轴，所述插槽的左端固定有分装盒主支撑座。

优选的，所述第一抓滑板与第二抓滑板的工作方式与行程距离一致，且第一抓滑板与第二抓滑板的呈镜像安装。

优选的，所述分装盒设置有八个，且其关于旋转轴作90°翻转时的整体长度等于第一连接器至第二连接器4的距离。

优选的，所述接线窗和滑盖门均设置有四个，且彼此呈对角线分布设置。

优选的，所述卡位槽设置有三个且与分装盒呈横向平行和垂直平行两种互相平行状态。

优选的，所述侧板与折板的最大间隔长度与顶板的长度一致，且折板相对于侧板呈互相垂直90°和相互平行两种状态变化。