[发明专利]晶片的分割方法有效
申请号: | 201610997489.3 | 申请日: | 2016-11-11 |
公开(公告)号: | CN106847747B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 田渕智隆;小田中健太郎;熊泽哲;梁仙一;小川雄辉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/364;B23K26/08;B23K26/03;B23K10/00;B23D19/00;B28D5/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
1.一种晶片的分割方法,沿着分割预定线对晶片进行分割,该晶片在基板的上表面具有含有Cu的配线层,并且在由包含该配线层的分割预定线划分出的区域内形成有器件,其中,该晶片的分割方法具有如下的工序:
激光加工槽形成工序,从该配线层侧照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线,从而沿着分割预定线将该配线层切断并形成到达该基板的加工槽;
切削工序,在实施了该激光加工槽形成工序之后,使宽度比该加工槽的最外侧宽度窄的切削刀具沿着该加工槽切入晶片并将晶片完全切断;以及
干蚀刻工序,在实施了该激光加工槽形成工序之后,至少对该加工槽内的该配线层被切断的部分进行干蚀刻,从而将在该激光加工槽形成工序中产生的含有该Cu的碎屑去除,防止该碎屑在该加工槽内成长。
2.根据权利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
该晶片的分割方法还具有如下的保护膜形成工序:在实施所述干蚀刻工序之前,形成对所述器件的上表面进行保护的保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造