[发明专利]晶片的分割方法

说明书

提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。

技术领域

本发明涉及晶片的分割方法，将晶片分割成各个器件芯片。

背景技术

关于在正面上由分割预定线划分并形成有IC、LSI等多个器件的晶片，例如通过具有能够旋转的切削刀具的切削装置被分割成各个器件芯片，器件芯片被应用在移动电话或个人计算机等各种电子设备等。并且，在晶片的分割时，存在如下的分割方法：首先，对晶片照射激光光线并在晶片的上表面形成加工槽，之后，使切削刀具切入而将晶片完全切断。

作为利用上述分割方法来进行分割的对象，例如具有如下的晶片：在硅等半导体基板的上表面上形成有含有Cu的配线层。并且，该配线层不仅层叠在器件正面上还层叠在晶片的分割预定线上，当利用切削刀具进行切削时，存在Cu附着于切削刀具上的问题。

因此，存在如下的分割方法(例如，参照专利文献1)：首先，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射激光光线，并通过烧蚀加工将含有Cu的配线层的局部切断/去除而形成深度达到硅基板的加工槽，接着，使切削刀具沿着该加工槽切入而将晶片完全切断。在这样的分割方法中，例如，形成具有宽度为切削刀具的宽度(刃厚)以上且为分割预定线的宽度以下的加工槽。并且，通过使切削刀具切入该加工槽，能够防止Cu附着在切削刀具上。

然而，在加工槽的形成时，配线层中所含的Cu因激光光线的照射而溶解，其局部成为附着在加工槽的侧壁、底面上的碎屑。为了去除含有该Cu的碎屑，例如存在具有能够一边进行加工一边将碎屑去除的加工喷嘴的激光加工装置(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2006-190779号公报

专利文献2：日本特开2007-069249号公报

即使使用在专利文献2中记载的激光加工装置，也很难将附着在加工槽上的粉状的含有Cu的碎屑完全地去除。然而，考虑到含有Cu的碎屑只要仅存在于加工槽内的话，就不会对器件造成影响，所以不需要完全去除。

然而，得知该含有Cu的碎屑会与硅和空气中的水分发生反应。即，含有Cu的碎屑与在切槽(grooving)加工中露出的硅基板接触，在加工槽的壁和底面形成作为核体的Cu₃Si。该Cu₃Si与空气中的水分发生反应，在Cu₃Si的表面上形成由Cu₂O和Cu构成的层。进而，在由Cu₂O和Cu构成的层的表面上形成SiO₂的层，由此，碎屑会肥厚化。其结果是，尤其对于在加工槽的壁(由露出的硅基板部分构成的壁)部分上肥厚化的碎屑而言，其表面有时会与配线层接触，由该肥厚化的碎屑与配线层发生了接触的晶片制作出的器件存在因配线短路而使器件破损的可能性。

并且，附着在硅基板上的Cu自身不能通过清洗水的清洗、干蚀刻等来去除，需要通过药液清洗或湿蚀刻来去除，所以很难去除。尤其是，关于成为问题的在由加工槽露出的硅基板部分构成的壁部分上肥厚化的碎屑，由于加工槽的宽度为切削刀具的刃厚以上，所以即使是在切削加工之后，在该状态下残存而成长的可能性也较高。

因此，在通过激光光线的照射而形成加工槽的晶片的分割方法中，存在如下的课题：不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长，使碎屑不会与对晶片进行分割而制作出的器件的配线层接触。

发明内容