[发明专利]清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.制造集成电路器件的方法，所述方法包括：

在基底上形成光刻胶膜；

使所述光刻胶膜暴露于光；

通过使暴露于光的所述光刻胶膜显影而形成光刻胶图案；和

通过使用清洗液清洗所述光刻胶图案，所述清洗液包括表面活性剂，所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链，

其中所述具有支化结构的化合物为由式1表示的化合物：

[式1]

其中X¹、X²和X³各自为亲水性基团；

R¹、R²和R³各自独立地为包含取代或未取代的C1-C6烷基的基团、包含取代或未取代的C2-C6烯基的基团、包含取代或未取代的C2-C6杂烯基的基团、包含取代或未取代的C6-C30芳基的基团、包含取代或未取代的C6-C30杂芳基的基团、或包含取代或未取代的C2-C20杂炔基的基团；

Y¹和Y²各自独立地为包含羟基的基团、包含C1-C6烷基的基团、包含C6-C30芳基的基团、包含氰基的基团、或包含硝基的基团；和

p为大于0且小于或等于2的整数。

2.如权利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自独立地为包含C1-C6烷氧基的基团、包含C1-C6烷硫基的基团、或包含C2-C6酰基的基团。

3.如权利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自独立地为包含C1-C6烷基羰基氨基的基团、或包含C2-C6酰氧基的基团。

4.如权利要求1中所述的方法，其中，Y¹和Y²各自独立地为包含C2-C6烷氧羰基的基团。

5.如权利要求1中所述的方法，其中，在清洗所述光刻胶图案时，所述表面活性剂的侧链中的所述至少一个亲水性官能团化学键合至暴露于所述光刻胶图案的侧壁上的亲水性基团，由此所述表面活性剂的主链和所述光刻胶图案保持彼此间隔开，其中所述表面活性剂的侧链中的所述至少一个亲水性官能团在所述主链和所述光刻胶图案之间。

6.如权利要求1中所述的方法，其中X¹、X²和X³各自包括阴离子型亲水性基团、阳离子型亲水性基团、非离子型亲水性基团、或其组合；

R¹、R²和R³为疏水性基团；和

Y¹和Y²各自为疏水性连接基团。

7.如权利要求1中所述的方法，其中：

所述清洗液包括所述表面活性剂和去离子水，和

所述表面活性剂以100ppm-5,000ppm的量存在于所述清洗液中，基于所述清洗液的总量。

8.如权利要求1中所述的方法，其中所述清洗液包括：

所述表面活性剂；

去离子水；和

从修整剂、溶解抑制剂和分散剂之中选择的至少一种添加剂。

9.如权利要求8中所述的方法，其中所述添加剂包括作为修整剂的氢氧化四丁基铵(TBAH)、作为溶解抑制剂的胺、作为分散剂的氢氧化铵、或其组合。

10.如权利要求1中所述的方法，其中所述具有支化结构的化合物为由式2或3表示的化合物：

[式2]

其中在式2中，l、m和n各自为1-5的整数；

[式3]

其中在式3中，m为1或2，且n为1-4的整数。