[发明专利]清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法

说明书

公开清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。所述清洗液包括表面活性剂和去离子水。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。所述制造集成电路器件的方法包括：形成光刻胶图案，随后将所述清洗液施加至所述光刻胶图案上。

相关申请的交叉引用

将2015年12月23日在韩国知识产权局提交且标题为“清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法”的韩国专利申请No.10-2015-0185090全部通过参考引入本文中。

技术领域

实施方式涉及清洗液(清洗溶液)和通过使用其制造集成电路器件的方法，且更特别地涉及包括表面活性剂的清洗液和通过使用其制造集成电路器件的方法。

背景技术

随着电子器件的高度集成和尺寸减小，半导体器件需要更快的运行速度、更低的运行电压等。为了满足这些要求，可严格地控制在制造半导体器件的过程中形成的图案的尺寸和形状的精度。

发明内容

实施方式旨在包括表面活性剂和去离子水的清洗液。所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。

实施方式还旨在制造集成电路器件的方法，其包括：在基底上形成光刻胶膜；使所述光刻胶膜暴露于光；通过使暴露于光的所述光刻胶膜显影而形成光刻胶图案；和通过使用清洗液清洗所述光刻胶图案，所述清洗液包括表面活性剂，所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链。

实施方式还旨在制造集成电路器件的方法，其包括：在基底上形成光刻胶膜；通过使所述光刻胶膜暴露于光和使所述光刻胶膜显影而形成具有亲水性侧壁的光刻胶图案；通过使用去离子水第一次清洗所述光刻胶图案；通过将清洗液施加至所述光刻胶图案上而第二次清洗所述光刻胶图案，所述清洗液包括表面活性剂，所述表面活性剂包括具有支化结构的化合物，所述具有支化结构的化合物包括包含疏水性基团的主链和多个从所述主链支化且具有至少一个亲水性官能团的侧链，在所述光刻胶图案的第二次清洗期间，所述表面活性剂的所述多个侧链中的所述至少一个亲水性官能团能化学键合至所述光刻胶图案的亲水性侧壁。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明晰，在附图中：

图1示出用于说明光刻胶图案由于通常的清洗液而坍塌的原因的横截面图；

图2A和2B示出用于说明如下原理的横截面图：通过所述原理，包括在根据实施方式的清洗液中的表面活性剂的多个侧链中的亲水性基团化学键合至光刻胶图案的亲水性侧壁的多个位点；

图3示出根据实施方式的制造集成电路器件的方法的程序的流程图；

图4A-10B示出用于说明根据实施方式的制造集成电路器件的方法的阶段的图，图4A、5A、......和10A分别为根据制造集成电路器件的方法的过程顺序显示的平面图，且图4B、5B、......和10B分别为沿着图4A、5A、......和10A的线B-B'所取的横截面图；和

图11示出包括根据实施方式的集成电路器件的系统的框图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述实例实施方式；然而，它们可以不同的形式体现并且不应解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开内容将是彻底且完整的，并将示例性实施充分地传达给本领域技术人员。

在绘制的图中，为了说明的清楚，层和区域的尺寸可被放大。相同的附图标记始终表示相同的元件。