[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610998117.2 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108074823A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 切割 半导体器件 电子装置 背面 支撑 封装结构 晶圆正面 临时键合 器件结构 切割过程 芯片表面 化学解 厚片 减薄 制作 保证 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；
提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；
对所述器件晶圆的背面进行减薄；
在所述器件晶圆的背面形成封装结构；
对所述器件晶圆进行切割；
进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面通过临时键合材料层进行所述临时键合。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述临时键合材料层使用在化学溶剂中溶解的材料。
4.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于，将所述器件晶圆和所述支撑晶圆浸入化学溶剂中，将所述支撑晶圆与所述器件晶圆之间的临时键合材料层溶解，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述临时键合的键合温度为100～400℃，时间为3～20分钟。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述解键合采用浸入平台式或者旋转单片作业式。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述器件晶圆的背面形成所述封装结构的方法包括：
在所述器件晶圆的背面形成硅通孔；
在所述器件晶圆的背面形成重布线层；
在所述器件晶圆的背面形成焊球。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在对所述器件晶圆进行切割之前还包括将所述器件晶圆安装于切割框架上的步骤。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至8之一所述方法制作得到。
10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求9所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
