[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；在所述器件晶圆的背面形成封装结构；对所述器件晶圆进行切割；进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。本发明切割过程中晶圆还是键合的状态，芯片表面被保护，且厚片切割品质容易保证；切割之后采用化学解键合(chemical De‑bond)，采用平台(bench)式作业，产量(throughput)高，安全可靠。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置。

背景技术

在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integrated circuit，IC)技术，3D集成电路(integrated circuit，IC)被定义为一种系统级集成结构，将多个芯片在垂直平面方向堆叠，从而节省空间。

在集成电路中指纹识别芯片的制备变的越来越广泛，如今指纹识别已成为手机标配，市场上出现越来越多的生产指纹识别的厂家，不同的厂家其设计原理也是不一样的，其中基于电容结构方式的指纹识别器得到广泛应用。

指纹识别芯片的晶圆级封装需要将正常晶圆的厚度减薄到100～200um左右，然后在背部完成硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、铜柱(Cu pillar)后出货。目前TSV、RDL和铜柱(Cu pillar)都属于成熟工艺，而影响目前封装良率主要是薄晶圆(thin wafer)的处理，通常是采用临时键合和解键合工艺来完成相关的制程。

目前的流程存在以下问题：

1.目前通常采用热滑落解键合(Thermal Slide De-bond)的方法解键合，所述方法产量(throughput)低，且因为热应力存在经常发生破片；

2.热滑落解键合(Thermal Slide De-bond)后需要手工处理薄晶圆安装(handlethin wafer mount)，该步骤破片风险极大；

3.解键合(De-bond)之后进行切割，造成芯片表面的污染，且薄晶圆(thin wafer)切割的品质难以保证。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括形成于所述器件晶圆正面的器件结构；

提供支撑晶圆，并将所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面进行临时键合；

对所述器件晶圆的背面进行减薄；

在所述器件晶圆的背面形成封装结构；

对所述器件晶圆进行切割；

进行解键合，以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。

可选地，所述支撑晶圆与所述器件晶圆的正面通过临时键合材料层进行所述临时键合。

可选地，所述临时键合材料层使用在化学溶剂中溶解的材料。