[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有多个隔离结构；

形成位于相邻隔离结构之间衬底上的栅极结构；

在所述栅极结构两侧的衬底内形成应力层；

在所述应力层上形成帽层，形成帽层的工艺包括旋涂工艺；

形成覆盖所述帽层的金属层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述应力层上形成帽层的步骤包括：

通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层；

对所述前驱层进行固化处理，形成所述帽层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层的步骤中，所述前驱层为聚硅烷层。

4.如权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层的步骤中，所述前驱层的材料包括聚乙硅烷和环戊硅烷中的一种或两种。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层的步骤中，所述前驱层还包括溶剂，所述溶剂为碳氢化合物，所述碳氢化合物中碳的原子数大于4。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层的步骤中，所述碳氢化合物为C₅H₁₂。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述前驱层之后，固化处理之前，所述形成方法还包括：通过回刻的方式去除部分厚度的所述前驱层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，回刻所述前驱层的步骤包括：通过干法刻蚀的方式回刻所述前驱层。

9.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，对所述前驱层进行固化处理的步骤包括：

对所述前驱层进行烘焙处理；

对经烘焙处理的前驱层进行退火处理，以形成所述帽层。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，对所述前驱层进行烘焙处理的步骤中，所述烘焙处理的温度在150℃到350℃范围内，所述烘焙处理的时间在5分钟到15分钟范围内。

11.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，对经烘焙处理的前驱层进行退火处理的步骤中，所述退火处理的温度在350℃到800℃范围内，所述退火处理的时间在2分钟到8分钟范围内。

12.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，通过旋涂工艺在所述应力层上形成前驱层的步骤和对所述前驱层进行固化处理的步骤中的一个或两个步骤包括：在惰性气体气氛下进行所述旋涂工艺或所述固化处理，所述惰性气体的压强在200Torr到500Torr范围内。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的步骤包括：

在所述栅极结构两侧的衬底内形成开口；

向所述开口内填充应力材料，形成所述应力层。

14.如权利要求1或13所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的步骤包括：形成“∑”形的应力层。

15.如权利要求1或13所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的步骤包括：所述应力层的材料为锗硅材料。

16.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，向所述开口内填充应力材料的步骤包括：通过外延生长的方式向所述开口内填充应力材料。

17.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤中，所述金属层的材料为镍。