[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法的特征在于包括：

(a)在半导体晶片的表面上形成标记，所述标记包括与所述半导体晶片的材料不同的材料，所述标记的至少一部分布置在位于所述表面上的预定周边区域的范围内,所述预定周边区域位于待形成半导体元件的相应的预定元件区域的周围；

(b)在步骤(a)之后，利用所述标记在所述预定元件区域内形成所述半导体元件；

(c)在步骤(b)之后，形成跨越所述表面上的包括所述预定元件区域或所述预定周边区域的范围而延伸的膜从而用所述膜覆盖所述标记的至少一部分；以及

(d)在步骤(c)之后，沿着切割区域切断所述半导体晶片，所述切割区域位于所述预定周边区域的周围,

所述膜包括由金属材料形成的电极膜,

所述步骤(c)包括跨越从所述预定元件区域延伸到所述预定周边区域的范围而形成所述膜。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于

步骤(d)包括规定基于所述标记而布置所述半导体元件的位置。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于

所述膜包括由树脂材料形成的保护膜。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于

在所述步骤(c)中，至少形成所述保护膜。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于

所述步骤(c)包括：跨越所述半导体晶片的所述表面上的从所述预定元件区域、所述预定周边区域延伸经过所述切割区域的范围而形成所述树脂材料的膜，所述树脂材料的所述膜构成所述保护膜；以及

在形成所述树脂材料的所述膜之后，移除所述树脂材料的所述膜的位于所述切割区域的部分。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于

所述树脂材料为聚酰亚胺。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于进一步包括

(e)在所述步骤(a)之前，确定所述半导体晶片中的所述预定元件区域、所述预定周边区域，以及所述切割区域。

8.一种半导体装置，所述半导体装置是通过使用权利要求1-7中任一项所述的半导体装置的制造方法而制造的，其特征在于包括：

半导体基板，其包括形成半导体元件的元件区域，以及位于所述元件区域周围的周边区域；

标记，其布置在位于所述半导体基板的表面上的所述周边区域中的范围内，所述标记包括与所述半导体基板的材料不同的材料；以及

膜，其在所述表面上的包括所述周边区域的范围内延伸，从而覆盖所述标记的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于

所述膜定位为跨越所述表面上的从所述元件区域延伸到所述周边区域的范围。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于

所述膜包括由树脂材料形成的保护膜。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于

所述树脂材料为聚酰亚胺。

12.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于

所述膜包括由金属材料制成的电极膜。