[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法,其包括：在半导体晶片的表面上形成标记，标记的至少一部分布置在预定周边区域中，预定周边区域位于待形成半导体元件的相应的预定元件区域的周围；利用标记在预定元件区域内形成半导体元件；在形成半导体元件之后，形成跨越所述表面上的包括预定元件区域或预定周边区域的范围而延伸的膜从而用膜覆盖标记的至少一部分；以及在形成膜之后，沿着切割区域切断半导体晶片，切割区域位于预定周边区域的周围。

技术领域

本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，在多个半导体装置一体地形成在单个半导体晶片上之后，沿着切割区域切断半导体晶片，以便从单个半导体晶片上将多个半导体装置分离成各个单片。通常，在切割区域中应用对准标记和其他标记。这种类型的标记被配置为光学可读的，并且被用于在单个半导体晶片上形成半导体元件的工序中。例如，对准标记是用作定位基准的标记，并且基于所读取的对准标记的位置，将处理装置(例如，曝光掩模)相对于半导体晶片进行定位。在公开号为2004-126414的日本专利申请中，描述了利用对准标记的半导体装置的制造方法。

发明内容

在切割中，通常使用切割刀片。用切割刀片切断半导体晶片可能会导致半导体晶片的切面(即，分离成个体片的半导体基板的外周表面)上有碎屑和裂纹。具体地，如果在切割区域中存在有标记，则切割刀片与标记接触，使得标记的切片可能会导致切割刀片阻塞。因此，在标记附近的半导体基板上被施加了高应力，则可能会引起在该位置处的半导体基板出现裂纹。下文中，这种半导体基板的裂纹被称为由标记引起的裂纹。由标记引起的裂纹的发生很可能会导致标记在随后的工序中从半导体基板上掉落，并且掉落的标记变成较大的异物，这可能会导致缺陷。

本发明提供了一种即使在切割中造成了由标记引起的裂纹，也会防止标记在随后的工序中从半导体基板脱落的技术，从而防止由于标记的掉落而产生较大的异物。

本发明的第一方案提供了一种半导体装置的制造方法。根据第一方案的半导体装置的制造方法包括：在半导体晶片的表面上形成标记，所述标记包括与所述半导体晶片的材料不同的材料，所述标记的至少一部分布置在位于所述表面上的预定周边区域的范围内，所述预定周边区域位于待形成半导体元件的相应的预定元件区域的周围；在形成所述标记之后，利用所述标记在所述预定元件区域内形成所述半导体元件；在形成所述半导体之后，形成跨越所述表面上的包括所述预定元件区域或所述预定周边区域的范围而延伸的膜从而用所述膜覆盖所述标记的至少一部分；以及在形成所述膜之后，沿着切割区域切断所述半导体晶片，所述切割区域位于所述预定周边区域的周围。

在上述制造方法中，在切割之前，标记覆盖有保护膜或电极膜。因此，即使切割中导致由标记引起的裂纹，该标记也被保护膜保持，从而防止标记从半导体基板上脱落。与构造半导体基板的半导体材料相比，更难以对树脂材料或金属材料造成裂纹。因此，即使对半导体基板造成了由标记引起的裂纹，也难以认为该裂纹会行进到保护膜或金属膜，并且与保护膜或电极膜一起脱落。由此，即使切割中导致了由标记引起的裂纹，也能够防止每个标记在随后的工序中从半导体基板脱落而成为较大的异物。

在第一方案中，切断半导体晶片可以包括规定基于标记而布置半导体元件的位置。

在第一方案中，形成膜可以包括跨越从预定元件区域延伸到预定周边区域的范围而形成膜。

在第一方案中，膜可以包括由树脂材料形成的保护膜和由金属材料形成的电极膜中的至少一种。

在第一方案中，在形成膜时，可以至少形成保护膜。

在以上方案中，形成所述膜可以包括：跨越所述半导体晶片的表面上的从所述预定元件区域、所述预定周边区域延伸经过所述切割区域的范围而形成所述树脂材料的膜，所述树脂材料的膜构成所述保护膜；以及在形成所述树脂材料的膜之后，移除所述树脂材料的膜的位于所述切割区域的部分。

在第一方案中，树脂材料可以是聚酰亚胺。