[发明专利]芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统

权利要求书

1.一种芯片的MOS工艺角的测量方法，其特征在于，包括：

检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；

判断所述驱动电压是否处于稳定状态；

在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vtt和Vfnsp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vfnsp，且所述驱动电压小于Vtt时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺角判断阈值包括Vfnsp，

在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vfnsp的大小，得到比较结果；

根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压小于Vfnsp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为FNSP工艺角。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测待测量芯片的驱动电压之前，所述方法还包括：

控制所述待测量芯片中锁相环的输入频率保持为预设频率。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的方法，其特征在于，在比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，并根据比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角之前，所述方法还包括：

通过仿真获取在所述待测量芯片的锁相环的输入频率为预设频率，所述待测量芯片为不同MOS工艺角时的驱动电压数据；

根据所述驱动电压数据生成所述工艺角判断阈值。