[发明专利]芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统

说明书

本发明公开了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。其中，该方法包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，驱动电压为待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断驱动电压是否处于稳定状态；在驱动电压处于稳定状态时比较驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，工艺角判断阈值用于区分待测量芯片的工艺角的类型；根据比较结果确定芯片的MOS工艺角。本发明解决了现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

技术领域

本发明涉及芯片的MOS工艺角测量领域，具体而言，涉及一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统。

背景技术

在集成电路制造的过程中，由于工艺的偏差，生产出来芯片有不同的工艺角，芯片中各模块的性能受工艺角的偏差变化明显，为了达到符合要求的性能，需要在出厂时进行测量并微调，图1是根据现有技术的一种芯片的NMOS工艺角的测量电路的结构图，该电路由一个偏置电路和一个判断电路组成，其工作原理是一个不随工艺角变化的恒流源Ibn给NMOS提供电流偏置产生电压Vgsn，Vgsn的电压随工艺角变化，NMOS在slow工艺角时Vgsn最大为Vgsmax，在fast工艺角时Vgsn最小为Vgsmin，在typical工艺角时Vgsn介于Vgsmax和Vgsmin之间，通过合理设置Vsn和Vfn，使Vsn和Vfn满足关系式Vgsmax>Vsn>Vfn>Vgsmin，该电路就能鉴别出NMOS的工艺角。当Vgsn>Vsn时SN＝1，TN＝0，FN＝0，表示NMOS是slow工艺角；当Vgsn<Vfn时SN＝0，TN＝0，FN＝1，表示NMOS是fast工艺角；否则SN＝0，TN＝1，FN＝0，表示NMOS是typical工艺角。这种检测电路采用了NMOS的直流特性鉴别工艺角。相同地，可以借鉴该电路完成PMOS的工艺角的检测，上述检测方法增加了芯片的量产成本和降低了量产效率。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法、装置和系统，以至少解决现有测量芯片的MOS工艺角的方法比较复杂的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种芯片的MOS工艺角的测量方法，包括：检测待测量芯片的驱动电压，其中，所述驱动电压为所述待测量芯片的锁相环中电压控制振荡器的输入端电压；判断所述驱动电压是否处于稳定状态；在所述驱动电压处于稳定状态时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果，其中，所述工艺角判断阈值用于区分所述待测量芯片的工艺角的类型；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于所述Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SS工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vslow和Vsnfp，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vsnfp，且所述驱动电压小于Vslow时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为SNEP工艺角。

进一步地，所述工艺角判断阈值包括Vsnfp和Vtt，在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与工艺角判断阈值的大小，得到比较结果包括：在所述驱动电压稳定时比较所述驱动电压与所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比较结果；根据所述比较结果确定所述待测量芯片的MOS工艺角包括：在所述比较结果指示所述驱动电压大于等于Vtt，且所述驱动电压小于Vsnfp时，确定所述待测量芯片的MOS工艺角为TT工艺角。