[发明专利]一种基于IGBT闩锁效应的触发器有效
| 申请号： | 201611010264.0 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106603041B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 荣丽梅;刘魁;孟志俊;刘博;邓珣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K3/037 | 分类号： | H03K3/037;H03K5/135 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 效应 触发器 | ||
1.一种基于IGBT闩锁效应的触发器，其特征在于：包括第一锁存器结构和第二锁存器结构；第一锁存器结构与第二锁存器结构相连；
所述的第一锁存器结构包括第一PMOS管P1，第一IGBT管IGBT1，第二锁存器结构包括第二PMOS管P2，第二IGBT管IGBT2；且第一IGBT管和第二IGBT管能够引起闩锁效应；
第一PMOS管的栅极接时钟信号，源极接高电平端，漏极作为第一锁存器结构的输出端；第一IGBT管的阳极接第一PMOS管的漏极，阴极接低电平端，栅极接输入D信号；
第二PMOS管的栅极接时钟信号，源极接高电平端，漏极作为D触发器的输出端；第二IGBT管的阳极接第二PMOS管的漏极，阴极接低电平端，栅极接第一锁存器结构的输出端。
2.如权利要求1所述基于IGBT闩锁效应的触发器，其特征在于：当输入D信号为高电平时，第一锁存器结构输出低电平信号，第二锁存器结构输出高电平信号，第一锁存器结构锁存住自己的输出信号，进而锁存住触发器输出信号；当输入D信号为低电平时，第一锁存器结构输出高电平，第二锁存器结构输出低电平，第二锁存器结构锁存住自己的输出信号，进而锁存住触发器输出信号。
3.如权利要求1所述基于IGBT闩锁效应的触发器，其特征在于：所述闩锁效应通过P+NPN+四层结构的第一IGBT管和第二IGBT管实现，第一IGBT管和第二IGBT管均含有寄生PNP和NPN双极型晶体管，且能够满足NPN和PNP晶体管的共基极电流放大系数大于1。
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