[发明专利]用于减薄衬底的方法

权利要求书

1.一种用于减薄衬底的方法，包括：

提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；

通过处理所述衬底的所述第一侧而在所述衬底中形成掩埋层；

从所述衬底的所述第二侧减薄所述衬底，其中所述掩埋层包括与所述衬底相比对所述减薄具有更大抵抗性的固态化合物，并且其中所述减薄在所述掩埋层处停止，其中在所述衬底中形成所述掩埋层包括：

向所述衬底中形成多个沟槽；

通过所述多个沟槽向所述衬底中引入比所述衬底具有更高电负性的化学元素；

填充所述多个沟槽，

其中填充所述多个沟槽包括通过加热所述衬底的至少所述第一侧来部分熔化所述衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上方形成外延层。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述外延层包括所述衬底的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中形成所述掩埋层包括注入比所述衬底具有更大电负性的化学元素。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述外延层中形成以下电路部件中的至少一种：二极管、晶体管或电路结构。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述衬底或所述外延层中的至少一项中形成贯通电接触，所述贯通电接触与所述至少一个电路部件电接触。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

形成延伸通过所述衬底、所述掩埋层或所述外延层中的至少一项的贯通电接触。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中加热所述衬底的至少所述第一侧包括使用激光器。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对所述衬底回火以使所述掩埋层的成分均质化。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中减薄所述衬底包括以下中的至少一项：蚀刻、化学机械抛光或研磨。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中减薄所述衬底包括使用所述掩埋层对其具有惰性的蚀刻剂。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中所述掩埋层接近所述衬底的所述第一侧。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中所述掩埋层包括至少两个子层，所述至少两个子层为如下中的至少一项：在化学成分上彼此不同或者彼此远离。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中所述固态化合物包括碳或氮中的至少一项。

15.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述外延层中形成以下电路部件中的至少一种：绝缘栅双极型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或功率金属氧化物半导体场效应晶体管。