[发明专利]一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法

权利要求书

1.一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；

利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；

将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。

2.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，所述基板的厚度小于1mm，表面平整度在4英寸基板上小于8μm。

3.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，多个所述粘片槽在所述基板上呈圆周分布。

4.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，将基片放置在所述粘片槽内时，基片的参考方向与基板半径方向的夹角小于2°。

5.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，

所述压板的平整度≤5μm。

6.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，所述第一光刻胶的粘度为30～50CP。

7.如权利要求2或3所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，所述光刻板上设有一个光刻板图形区，所述光刻板图形区到光刻板中心的距离与粘片槽到基板中心的距离相同，所述光刻板上光刻板图形区以外的区域不透光；

利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕具体包括以下步骤：

将光刻板上的图形区与基板上任意一个基片对准，然后将基片与光刻板接触压紧，进行曝光，至此完成一个基片曝光；

解除所述基片与光刻板的接触，将基板旋转预设的角度，使基板上另一个未进行曝光的基片位于光刻板的图形区，进行图形对准，将基片与光刻板接触压紧，进行曝光；遍历所有的基片，直到所有基片全部曝光完毕。

8.如权利要求1所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，还包括将完成湿法刻蚀的基板放入去胶液中浸泡，使基片从基板上脱落，并将脱落后的基片使用去胶液清洗至无残留光刻胶。

9.如权利要求8所述的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，所述去胶液选取丙酮、乙酸丁酯或N-甲基吡咯烷酮中的一种或几种。