[发明专利]一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法

说明书

本发明公开了一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。借助于本发明的技术方案，可以大幅提高小尺寸基片光刻工艺的效率，同时也能够保证光刻图形的完整性和湿法刻蚀工艺的均匀性，有效的提高了小尺寸基片图形加工的效率和产品质量。

技术领域

本发明涉及电子器件领域，特别涉及一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法。

背景技术

目前，在电子器件，尤其是光学和光电器件的结构中大量使用各种材料的小尺寸基片作为器件的功能结构组件，例如使用锗片作为红外滤光片；使用在二氧化硅上制备图形作为光学系统的微型光阑、光栅；在蓝宝石片上加工图形作为光学调制机构；在蓝宝石或陶瓷上加工图形作为焊接或粘接基片并作为引线接线座等。这些组件根据器件结构需要，往往会被设计成圆形或边缘不规则的特殊形状，同时随着器件工艺发展，对结构组件的加工精度也大幅提高，例如在红外探测器中的光信号调制盘加工精度需要达到1μm，光学镀膜厚度一般小于1μm。

小尺寸基片的表面加工主要是对材料本身或者材料表面薄膜材料进行的图形光刻和刻蚀等，针对不同的情况通常有大尺寸材料上加工后划片，以及先进行基材成型再进行小片加工两种工艺方法。第一种方法主要适用于外形规则的、简单的且易划片的材料或基材，如方形的硅材料或陶瓷材料等，这种方法效率高，可靠性高，且使用常规的加工工艺时具有较好的图形均匀性，但对产品外形有一定要求，工艺局限性大，同时随着小尺寸基片加工精度要求的提高，使得先加工图形再划片成形的工艺方法难以满足要求；第二种方法主要用于形状不规则的基片，表面加工后无法进行切割的产品，以及非完全平面图形加工的产品，这种方法可以适用于非直边的产品加工，如圆形，同时可以在基片边缘的斜边上实现加工，具有较广泛的工艺适用性，但由于需要对小尺寸的材料进行单片工艺，存在效率较低，片间均匀性差等问题。

发明内容

为了解决小尺寸基片光刻、刻蚀时工艺效率和成品率之间的矛盾，使小尺寸基片在光刻曝光、显影时提高工艺效率，同时保证良好的光刻效果和湿法刻蚀的图形均匀性，本发明提供了一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法。

本发明提供的基片的表面光刻和湿法刻蚀方法，包括以下步骤：

在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；

利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；

将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例将多个小尺寸基片整合在一个基板上，基板在整个工艺中起到固定基片、稳定工艺的作用；利用光刻板进行曝光，再将基板上粘接的基片进行批次性的显影和湿法刻蚀，可以大幅提高小尺寸基片光刻工艺的效率，同时也能够保证光刻图形的完整性和湿法刻蚀工艺的均匀性，有效的提高了小尺寸基片图形加工的效率和产品质量。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。

附图说明

图1是本发明实施例的基片的表面光刻和湿法刻蚀方法的流程图；

图2是本发明实施例中一种基片的形状示意图；